复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

Ion irradiation—induced structure damage to botanic samples using the ion transmission energy spectrum

1 INTRODUCTIONThe new aPplications of low energy heavy ion beam in irradi4ted botanical materialswere studied in recellt yeaxs. The beaminduced mutation effect on crop seeds has causedthe attention of physicist and biologists.[1l:] FOr examPle, 1ow energy ions can induceremarkable mutation to rice seeds.[3] There are many special phenomena when heavyions bombard botanic sW1e due to its special structure. Some studies showed that tllepenetration depths of some ions were far larger than t…     

扬声器系统对晶体管功率放大器输出级的影响

扬声器系统对晶体管功率放大器输出级的影响张轻屯杨成东前言日常生活中使用音响器材时，有时会出现一些高级晶体管功率放大器推动一个普通扬声器系统时，还不如老式的单边变压器耦合输出或者ＯＴＬ输出推动时听音效果好的问题；或者某些品牌机只能去推动某些扬声器系统才...     

柠檬酸月桂醇酯的合成

介绍了柠檬酸月桂醇酯的合成方法,并经正交实验得出合成的最佳工艺条件:反应温度132℃,反应时间120min,月桂醇/柠檬酸=1:1(mol比),催化剂用量:0.2g。     

离子膜烧碱计算机控制系统

介绍了化工部“八五”攻关项目——离子膜烧碱计算机控制系统，就系统的构成、功能以及离子膜烧碱工艺中一些较为复杂的控制方案作了详细说明     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。