食品中铅含量的测定——巯基棉分离富集，离子选择电极法

文中所述食品中铅含量的测定,采用了硫代乙醇酸涂在脱脂棉上制成巯基棉的方法,用来分离测定铅时的干扰元素,同时进行铅的富集。用一定浓度的硝酸为洗脱剂洗脱巯基棉富集的铅后,调整洗脱液酸度后由铅电极标准加入法测定。结果表明,方法回收率在92—109%之间。其富集下限可达0.010mgL~(-1)铅。与双硫腙比色等方法相比,文中所述方法既不用大型昂贵仪器,又避免了剧毒物的使用,具有操作简单,富集倍数大,灵敏度高的优点。     

谐振腔帘栅打火引起的故障及处理

随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

碘离子选择电极测定锡粉中微量砷

测定砷的方法有分光光度法、原子吸收法、发射光谱法、电流滴定法、电位滴定法、电量滴定法等,就电位滴定法来说,使用的指示电极有氟电极、Ag_2S 膜电极、Ag电极、铅电极、氯胺—T 电极、碘电极等,已有人研究过用碘电极测砷,但没有用于样品分析,也有人用碘电极对水中微量砷进行过研究。我们用碘电极对锡粉中微量砷进行了测定,取得了满意的结果,高价砷还原成低价砷时,必须严格控制 pH=2.0,并     

Unision SR1合并式扩大机

俗话说得好,世上唯一不变的事情就是变。这句话当真有理,看看连Unison这样“顽顾”的真空管大厂商也变了,新推出了真空管和晶体管的混血扩大机,此外还有一系列晶体前级后端要推出呢！这使得Unison成为产品线上从单端真空管机一直到纯晶体扩大机通通俱全的厂     

“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”项目通过市教委验收

由我校信息与通信工程学院副院长牛萍娟副教授承担的天津市高校科技发展基金项目“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”于2005年8月2日通过了市教委组织的专家验收．     

Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100     

IDT推出预处理交换芯片增强无线基础设施效能

Silicon Laboratories日前针对以太网络用电装置（Powered Device，PD）应用推出业界最高集成度的IEEE802．3af以太网络供电（Powerover Ethernet，PoE）控制器。Si3400是唯一内置二极管桥式电路（diode bridge）、瞬时突波抑制电路和开关稳压器FET晶体管的PD控制器。Si3400控制器的高集成度大幅减少元器件用料和电路板面积，