食品中铅含量的测定——巯基棉分离富集，离子选择电极法

文中所述食品中铅含量的测定,采用了硫代乙醇酸涂在脱脂棉上制成巯基棉的方法,用来分离测定铅时的干扰元素,同时进行铅的富集。用一定浓度的硝酸为洗脱剂洗脱巯基棉富集的铅后,调整洗脱液酸度后由铅电极标准加入法测定。结果表明,方法回收率在92—109%之间。其富集下限可达0.010mgL~(-1)铅。与双硫腙比色等方法相比,文中所述方法既不用大型昂贵仪器,又避免了剧毒物的使用,具有操作简单,富集倍数大,灵敏度高的优点。     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。     

谐振腔帘栅打火引起的故障及处理

随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

碘离子选择电极测定锡粉中微量砷

测定砷的方法有分光光度法、原子吸收法、发射光谱法、电流滴定法、电位滴定法、电量滴定法等,就电位滴定法来说,使用的指示电极有氟电极、Ag_2S 膜电极、Ag电极、铅电极、氯胺—T 电极、碘电极等,已有人研究过用碘电极测砷,但没有用于样品分析,也有人用碘电极对水中微量砷进行过研究。我们用碘电极对锡粉中微量砷进行了测定,取得了满意的结果,高价砷还原成低价砷时,必须严格控制 pH=2.0,并     

大功率晶体管的保护电路

大功率晶体管调速系统中作为开关元件使用时，共优点是开关频率比可控硅的高，但是不注意保护就容易损坏。着重研究过电流故障，并对保护作用的影响进行了分析，进而提出了防止过电流的方法和工作原理。