二维离子注入的改进模型及数值模拟

本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.     

N+离子注入侧链含偶氮染料发色团的聚酰亚胺薄膜的微观结构

利用对-硝基苯基重氮氟硼酸盐和聚酰胺酸进行重氮偶合反应,然后再经过酰亚胺化反应,合成了侧链含偶氮染料发色团的聚酰亚胺非线性光学材料(NLOPI)。采用能量为30 keV,剂量为6.0×1016ions/cm2的氮离子对NLOPI进行离子注入改性。通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线粉末衍射(XRD)、热失重分析(TGA)和扫描电镜(SEM)对离子注入改性NLOPI的微观结构和热稳定性能进行研究。研究表明,离子注入改性后的NLOPI在3426 cm-1和1653 cm-1处出现N-H的振动吸收峰;在400 nm~600 nm的可见光区域的吸收强度减小;离子注入使NLOPI的分子链排列更加规整,取向度明显增加,结晶性能有所改善,但仍是非晶态聚合物;离子注入后NLOPI的起始分解温度为320℃,材料的热稳定性能显著增强。     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。     

碲镉汞离子注入温度研究

作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。     

预非晶化硅中注入硼的异常扩散

预非晶化硅中,在非晶区和损伤区之间有一重损伤层存在,其边缘清楚,厚度约为20nm,包含有大量的扩展缺陷。它阻挡了尾部损伤区内簇团分解放出的硅间隙原子向非晶区扩散,大大削弱了非晶区内注入硼的异常扩散。选用条件适当的二次硅离子注入,使重损伤层加重加厚,从而完全阻止了非晶层内硼的异常扩散。本文在实验上为重损伤层阻止非晶区内硼异常扩散的模型提供证明。     

半导体位置敏感探测器新型结构研究

在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)二维枕形结构特性的基础上,采用光敏面与边缘区域分别注入不同离子剂量的方法,研究了一种PSD新型结构,这种结构的PSD边缘采用了带宽很窄的正方形状的离子注入电阻带形式,输出电极附加了一个较小的正方形框架作为阳极,通过在PSD边缘电阻带中注入较高离子剂量的元素,改变PSD边缘电阻带的电阻和有效感光面区域电阻的比值;实验模拟结果显示:新型结构的PSD可获得较高的位置分辨率、较大的有效光敏面积以及较小的非线性。     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国SiC功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。拥有商业化碳膜溅射机,高温离子注入机以及量产型高温退火炉等。泰科天润的目前产品以600V~3300V SiC肖特基二极管(Schottky diode)为主。泰科天润能够为客户提供半导     

山东蓝宝石中黑色调的去除

我国山东产出的蓝宝石产量大、晶体颗粒大而完整,却因明显的深色调一直无法走入世界蓝宝石销售的主流市场。山东蓝宝石的改色研究自20世纪其被发现后就从未停止,然而取得的效果甚微。本文旨在总结前人关于山东蓝宝石中黑色调的改善方法,找出山东蓝宝石改色实验存在的主要问题。     

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正全新的Applied Varian VIISta~ 900 3D系统实现无与伦比的离子束线路精度,适用于复杂FinFET和3D存储结构的掺杂工艺独一无二的离子束形状控制能力结合SuperScan 3TM技术,可显著降低器件可变性,实现卓越的颗粒控制性能,从而显著提升产品良率应用材料公司日前宣布全新推出Applied Varian VIISta 900 3D系统。作为业内领先的中电流