碘溴化银T颗粒乳剂中碘的加入

高感光度乳剂制备中 ,如何利用好碘的掺杂技术 ,对于提高乳剂感光性能起至关重要的作用 ,本文针对碘溴化银T颗粒乳剂中不同的加碘方式、碘的不同分布及不同的加入量 ,对其晶型和感光性能的影响进行了综述。     

铜掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及表征

本文提出了一种磁控溅射和阳极氧化相结合制备Cu掺杂TiO₂纳米管(Cu-TNT)阵列的方法。掺杂后的样品通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对其结构和光电性能做了研究与分析。研究结果表明：Cu以离子形态均匀地掺杂进入TiO₂纳米管中,且为取代掺杂;Cu掺杂对TiO₂纳米管(TNT)的生长具有抑制作用,对TNT的形貌有明显影响;Cu掺杂对TNT晶体生长取向也有明显影响,抑制锐钛矿(101)晶面的生长,使(101)晶面产生晶格畸变、晶面间距变宽并促进锐钛矿(004)晶面的择优生长。瞬态光电流响应分析表明Cu掺杂TNT有利于抑制光生电子-空穴对的复合速率,提高太阳能利用率。     

给/吸电子基团取代对三苯胺基二苯乙烯衍生物光导性能的影响

分别以甲氧基作为给电子基团、溴作为吸电子基团,设计并合成了一系列三苯胺基二苯乙烯衍生物.用红外光谱、核磁共振谱及元素分析对其化学结构进行了表征.通过紫外-可见吸收光谱和循环伏安法研究了其能带结构.以三苯胺基二苯乙烯衍生物作为电荷传输层、TiOPc作为光生层,制备了双层光电导体,研究了给/吸电子基团取代对光导性能的影响.     

空穴传输层NPBX厚度对白光OLED性能的影响

讨论了空穴传输层材料NPBX厚度对白光有机电致发光器件(OLED)性能的影响.采用了ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Rubrene/DPVBi/Rubrene/Alq3/LiF/Al的多层结构器件.在这种多层结构的器件中,其他材料的厚度保持不变,使NPBX的厚度按10、15、20、25 nm的规律改变.当NPBX厚度为15 am时,器件性能最好.该器件在14 V电压下最大亮度为19 300cd/m2,在7 V的电压下最大效率为5.326 cd/A,色坐标为(0.27,0.33).     

用于医学成像的碲锌镉单极型探测器的研究进展

碲锌镉(CdZnTe)半导体材料具有探测效率高、能量分辨率高和体积小重量轻的特点,是公认的最有希望成为下一代伽马射线探测装置的材料。然而,空穴俘获导致的电荷收集不完全限制了碲锌镉半导体探测器的性能。解决空穴俘获最有效的方法是单极型探测器技术。文章首先简要介绍半导体探测器中电荷收集的相关理论,然后重点阐述单极型探测器技术的实现方法,包括各种电极的结构设计原理、典型的探测器原型机介绍、性能特点及其结构设计的优缺点。最后简要展望了碲锌镉半导体探测器未来的发展方向。     

衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应

通过衬底热空穴(SHH,Substrate Hot Hoel)注入技术,对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比,SHH导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性.其击穿电荷要比F-N隧穿的击穿电荷大得多,栅氧化层的击穿电荷量与注入的空穴流密度和注人时空穴具有的能量以及栅电压有关.这些新的实验结果表明F-N应力导致的薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定.提出了一个全新的衬底热空穴耦合的TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)模型.     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

<100>沟道方向对高迁移率双轴应变硅p-MOSFET的作用

双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;<100>沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和<100>沟道方向的共同作用下的空穴迁移率.双轴应变通过外延生长弛豫SiGe缓冲层来引入,其中,弛豫SiGe缓冲层作为外延底板,对淀积在其上的硅帽层形成拉伸应力.沟道方向的改变通过在版图上45°旋转器件来实现.这种旋转使得沟道方向在(001)表面硅片上从<110>晶向变成了<100>晶向.对比同是<110>沟道的应变硅pMOS和体硅pMOS,迁移率增益达到了130%;此外,在相同的应变硅pMOS中,沟道方向从<110>到(100)的改变使空穴迁移率最大值提升了30%.讨论和分析了这种双轴应变和沟道方向改变的共同作用下迁移率增强的机理.     

物联网信息安全的探讨

随着信息技术的发展,物联网已经逐步深入人心,成为今日主要的科技研究方向之一。本文从物联网信息安全问题出发,在分析物联网自身特点基础上,提出了物联网信息安全防范措施。     

认知无线电——智能的无线通信技术

认知无线电,以软件定义无线电为平台,是一种智能的无线通信技术;它能够感知周围的环境(外部世界),使用累积理解的方法从周围环境中逐步学习,根据射频输入激励的变化实时改变传输参数(如发射功率、载波频率、调制策略),使系统的通信规则与输入的射频激励相适应,确保无论何时何地都可以进行高度可靠的通信和无线电通信频谱的有效利用,并以更为灵活的方式来管理宝贵的频谱资源.