渐缩渐扩喷嘴临界流动的空穴核化模型

在西安交通大学高压汽水实验台架上进行了破口型式为渐缩渐扩喷嘴的临界流实验，实验参数为：入口压力３，０～１６．ＯＭＰａ，入口欠热度０～６０°Ｃ。对应临界质量流速为４０～１２０×１０３ｋｇ／ｍ２ｓ。实验表明，闪蒸起始点处的热力非平衡性随入口欠热度的增加而减小，入口为饱和状态时热力非平衡性最大。提出了一个新的空穴核化模型来预测闪蒸起始点处的减压值。该模型中含有一个由实验确定的系数，并被实验证实，该系数仅为入口欠热度的函数。将该模型计算的临界流量与临界流量的实验值进行了比较，取得了满意的结果。     

移动银行安全体系及实现技术

移动银行是移动互联网最具商业价值的应用之一,它对移动互联网的安全提出了很高的要求.本文在分析移动银行系统构成的基础上,基于WPKI体系,阐述了移动银行安全交易的过程和关键环节.     

基于光传输层的光网络自动切换保护解决方案——杭州浙江省长途电信传输局

IP业务的发展促使传统的以语音业务为主的电信网络发生深刻的变革，现代社会对光通信网络的依赖性越来越大，一旦中断，不仅会给企业造成巨大的经济损失，对于社会和用户个人的破坏性有可能也是无法估量的。同时，在开放的市场条件下，竞争进一步加剧，客户更加关注通信网络的安全性和可靠性，更加注重自身业务的快速恢复，网络可靠性成为吸引客户至关重要的因素，也是我们提高服务质量，保证和谐客户关系的重要方面。此外，随着我省信息化进程的加快实施，通信业务量增长很快，对通信网络的安全性和生存能力提出了更高的要求。因此，如何实现通信网络的有效保护和恢复是我们在运行维护过程中必须考虑的一个重要因素，而光网络的保护与恢复对于整个网络的安全性和生存能力有着重大的影响。     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

基于SCTP的TLS应用

简要介绍SCTP和TLS协议,探讨TLS应用于SCTP的特点及要注意的问题,给出简单的演示程序,演示了基于SCTP的TLS应用,最后得出结论:某些具体应用并不需要对SCTP关联中的流分别应用TLS协议,在单一流中的协商的TLS环境可简单的应用到其他流。     

OLED亮度进一步增大

典型的聚合物有机发光二极管（OLED）的结构包括3层：空穴传输层和发光层、电子传输层。发光层足够薄使电子和空穴可以通过传输层相遇并复合。美国橡树岭国家实验室的科学家将磁纳米粒子掺杂到聚合物OLED中，不仅使其亮度进一步增加，而且可以用外磁场控制OLED的强度。     

MOS 场引晶体管双极理论和实验

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.     

双极场引晶体管:Ⅱ.飘移扩散理论(双MOS栅纯基)

本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量.显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度.     

空穴孔阵玻璃基片热处理制度的正交设计优化

以Li2O-Al2O3-SiO2-K2O-Na2O为玻璃系统,研究了热处理对制备主晶相为偏硅酸锂(Li2O·SiO2)的微晶玻璃空穴基片载体材料的影响和试验优化,通过正交实验设计分析了热处理制度对玻璃基片中曝光区域的结晶程度和结晶点阵的扩散程度的影响规律,优化后的处理参数为曝光时间120min,核化温度580 ℃,核化时间90min,晶化温度610 ℃,晶化时间50min.     

无序和空穴掺杂对于二维Hubbard模型反铁磁相的影响

研究了含无序的二维Hubbard模型．利用严格对角化方法,自洽地计算了半满的占据情况下,无序对于序参量的空间分布和态密度的影响,讨论了不同无序强度对体系反铁磁相的影响,还进一步考虑了增加一个空穴对于系统性质带来的影响．