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991.
从分析硅芯晶体生长的工艺特点出发,简要介绍了硅芯晶体生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型硅芯晶体炉的机械结构及电气控制系统。 相似文献
992.
993.
针对逆变控制领域的需求,采用自然采样法设计一个基于SOPC的SPWM脉冲发生器。在系统中,结合DDS数字频率合成技术产生正弦调制波。使用Verilog语言编程实现可逆计数器,利用可逆计数器形成一个完整的三角波。然后将同一时刻的正弦函数值与三角函数值相比较,形成一路脉冲调制波。最后为防止同相桥臂功率器件的同时导通,经过死区延时部分,形成最终的SPWM脉宽调制波。基于SOPC系统的SPWM脉冲发生器既简化电路设计,又提高系统的可靠性、精确性,并通过实验验证实该系统设计的有效性、稳定性。 相似文献
994.
使用基于模型的设计进行虚拟测试 总被引:1,自引:0,他引:1
Brett Murphy 《电子设计应用》2010,8(2)
本文分析了系统设计中常用的末期测试可能造成的成本及设计周期的增加,进而提出了基于模型的设计方法,通过在系统设计中并行进行虚拟测试,大大缩短设计周期,降低设计成本. 相似文献
995.
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献
996.
研究了两个自旋为1/2的粒子在自旋相互作用情况下的Berry几何相位纠缠依赖,分别计算了两个自旋为1/2的纠缠粒子之间在存在自旋相互作用和无相互作用下的Berry几何相位,并得到在纠缠消失时几何相位的计算表达式.而且我们还讨论了两个粒子中只有一个粒子受到外磁场作用时的几何相位.结果发现其几何相位并不等于单个粒子在受到外磁场作用时的几何相位,而是与影响自旋纠缠强度作用的 有关,同时还得到了几何相位依赖于纠缠的的普遍公式. 相似文献
997.
998.
999.
1000.
<正>TSMC近日宣布推出0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权,是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权,适用于广泛的车用电子产品。TSMC0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25μ 相似文献