新一代IP QoS的实现

文章介绍了新一代IP骨干网上的IP QoS实现技术，论述了集成业务(IntServ)与差分业务(DiffServ)解决方案的特点，详细介绍了相关的队列管理与排队机制。并结合多协议标签交换（MPLS)技术的最新发展，阐述了综合多协议标签交换流量工程与DiffServ技术体系端到端IP QoS的实现。     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。     

Epitaxial growth of LaMnO3 buffer layers for YBa2Cu3O7-δ coated conductors using pulsed laser deposition

采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响.研究结果表明:沉积温度对LMO薄膜的表面形貌有一定的影响;在沉积温度为650℃时,LMO薄膜具有良好的(00l)取向,薄膜表面平整均匀,光滑致密,其均方根粗糙度在2 nm以下;而且,在此LMO缓冲层上外延生长的YBa2Cu3O7-δ超导层具有良好的双轴织构,超导转变温度Tc为92 K,转变宽度小于1K,临界电流密度Jc为5.3×105A/cm2(77 K,自场).     

输入队列交换的公平可扩展调度系统

提出了一种基于输入队列交换的公平可扩展网络调度系统FSSA.通过将若干个容量较小的调度器合理连接并使其协同工作,构成多端口大容量网络交换调度系统,解决了单个调度器容量和端口数受集成电路工艺限制的问题.FSSA不仅速度高、规模可扩展而且易于硬件实现.环型连接、管线工作及公平调度技术的采用使FSSA在性能方面得到了进一步优化.仿真结果显示,FSSA的性能可与基于iSLIP、DSRR等算法的单片调度器相比拟,尤其在流量较大时,FSSA的性能明显优于单调度器性能.     

基于令牌漏桶法的数据记录技术

针对实时系统记录数据会引起系统运行速度缓慢、瘫痪、甚至＂死机＂的问题,提出了具有特色的令牌漏桶法。该方法通过创建循环队列数据池并根据数据池的数据量适时发放令牌和拥有令牌的任务自动选择CPU空闲时执行等技术实现。通过试验验证,在保证整个系统实时性、可靠性的前提下,该方法实现了实时记录数据的功能。     

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.     

基于C6711处理器cdma2000 1X系统前向信道信号的处理

在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。