巧做USB充电器 通用的MP3/MP4充电器

本期的每期一做栏目《巧做USB充电器——通用的MP3/MP4充电器》给您介绍了一款适合于自制的、成本低廉的充电器,让您可以脱离计算机给MP3、MP4充电。     

12期考考你解答二

该电路存在以下问题:问题1:整流桥方向画错,应改为二极管负极向上。这可能是笔误。问题2:经桥式整流后得到的是脉动直流电,一般使用单向可控硅作为开关器件,当然用双向可控硅也是可以的。     

《电子控制技术》教学的问与答（6）

问:我使用的是广东科技出版社的《电子控制技术》教材。在教材P68—70页"晶闸管工作特性试验"中,在晶闸管控制极上加几十毫安的小电流可以控制阳极数十、数百安大电流的导通,它与晶体管用较小的基极电流控制较大的集电极电流有何不同点?晶闸管能否和晶体管一样构成放大器?     

省钱！自制无线Wii感应棒

Wii是什么玩意应该没有人不知道吧？如果你真的不知道,那谠去弄一个Wii回来玩玩,保证你玩上一个月后,身体倍儿棒,吃嘛嘛香！不过为什么“老任”把Wii的手柄都弄成无线的了,就不能把这个小小的感应棒做成无线的？既然“老任”不能满足我们的要求,那么我们就不能自己来做一个无线的感应棒中？     

低成本蔬菜大棚温度计的制作

本文介绍的蔬菜大棚温度计不用特殊的温度传感器,不用单片机,显示直观,设定超温报警低温报警简单方便,成本不超过20元。经过适当改动还可以作温／湿度同时显示。这种蔬菜大棚的温度计很有实用价值。 一、温度-电压转换原理 硅二极管有正向导通电压随温度上升而下降的特性,在恒定电流偏置情况下,变化率约为-2mV℃,也就是说负温度系数。由于恒流源制作复杂,往往用电阻与硅二极管串联接一个固定电压,形成分压电路。     

栅控二极管ESD工艺优化方法研究

为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电（ESD）能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控二极管导通电阻,提高ESD保护窗口内的泄流能力,将电路抗ESD能力从2 000 V提高到3 000 V,为电路级芯片的失效问题提供了一种解决方案。     

用于超外差接收机提供本振源的高功率510 GHz单片集成三倍频器

本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490~530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率。同时,开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究,以便最大化提升倍频性能。最终,在大约80~200 mW的输入功率驱动下,研制的510 GHz三倍频,在490~530 GHz频率范围内,输出功率为4~16 mW,其中峰值倍频效率11%。在522 GHz频点处,该三倍频在218 mW的输入功率驱动下,产生16 mW的最大输出功率。该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源。     

单光子探测器的研究进展

单光子探测器能够探测极微弱光信号, 具有较高的灵敏度, 在民用和国防领域都有广泛的应用。近年来, 随着科学技术的飞速发展, 在传统光电探测器件不断优化和改进的同时, 其它新型光电探测器件也得到了极大发展且取得了重要技术成果。为深入了解单光子探测器的技术发展现状和趋势, 总结了目前具有代表性的单光子探测器在研究现状、技术难点和最新技术突破等方面的关键信息, 分析了光电倍增管和雪崩光电二极管等传统单光子探测器的优势与不足以及之后的技术发展方向, 同时还介绍了超导纳米线单光子探测器和基于新型2维材料的雪崩光电二极管等几类具有良好光电性能和巨大发展潜力的新型单光子探测器, 并对其发展前景进行了展望。     

基于PIN二极管的可开关宽带极化转换超表面

为了在宽频内实现可开关的高效率线极化转换,设计了一个嵌入PIN二极管的十字架型极化转换超表面。仿真结果显示,当PIN二极管处于导通状态时,在4.03～7.71 GHz范围内,该超表面的极化转换率超过90%,相对带宽为62.7%;当PIN二极管处于截止状态时,该超表面在工作频段相当于反射板。通过理论分析和表面电流分布解释了极化转换机理。最后,对所制作样品的实验测量进一步证实了该超表面可开关的极化转换效果。所设计的超表面有望应用于电磁兼容和极化探测等领域。     

四极管等效二极管空间电荷限制流研究进展

可持续绿色能源核聚变具有清洁环保、原料储量丰富、安全可靠、不产生核废料等优点,是解决未来能源及环境问题的重要选择。然而,实现受控核聚变并非易事,托卡马克是最有希望实现可控聚变能的磁约束装置。大功率真空发射管是托卡马克装置中的一个重要器件,其电流作为发射电子管极限参量和额定功率的一个重要指标,取决于发射管本身的结构、尺寸、材料等。由于四极管的结构和工作原理十分复杂,很难直接获得发射电流随其结构参数变化的情况。可先将四极管等效成二极管结构来探寻二极管空间电荷限制流随其几何结构变化的规律,从而为等离子体加热发射管（四极管）结构设计及优化提供理论参考和有效依据。对此,本文通过查阅相关文献和书籍,对二极管空间电荷限制流方面国内外的研究状况进行总结和分析,并展望了其发展趋势。