快速整流二极管的一种新结构

介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。     

毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

Bright Blue Light—emitting Diodes Based on a Novel Fluorescent Dye Containing Heterocyclic Groups

Novel molecular material ,1-benzothiazoly-3-pheny1-pyrazoline (BTPP) was found to function as bright blue light emitting dye in organic electroluminescent device, and its optical and electric characteristics were investigated. This heterovyclic compound exhibited good characteristics of blue photoluminescence and electroluminescence,which had the emission peak at 450nm .The single layer light-emitting devices using BTPP as light -emitting material dispersed in poly(N-vinylcarbazole)(PVK) and double layer ones using PBD as hole block layer above the light-emitting layer were fabricated using conventional spin-casting and vaccum vapour deposition methods. The introduction of PBD has enhanced electron injection and luminance efficiency, compared with the single layer LEDs.     

主动式红外光电靶的研究

提出了采用红外光源的主动式光电靶的设计构想，用以消除传统天幕靶在对低速弹测量时，声音对测量的干扰，并设计了整个实验方案，在对静态实验结果进行分析的基础上，证明了该种方法的可行性。     

用于硅双漂移雪崩二极管的n＋／np多层外延材料

硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低,因     

用于MAN／LAN光通信的可热插拔LD

随着Internet技术的不断发展,通信系统的容量也正在日益增长, DSL、FTTH等宽带访问技术的普及,使大容量城域网(MAN)、局域网(LAN)市场得到了迅猛的发展。在MAN、LAN领域中的光通信容量增大的同时,也要求光通信元件向着小型化和低价位的方向发展。为此,小型封装(SFF: Small Form-factor)/小型封装可热插拔(SFP: SmallForm-factor Pluggable)收发器技术也日益流行起来。由于SFF/SFP收发器里采用了小型插入式激光二极管(LD),与以往支持LC连接器的收发器相比,更加节省空间、更加轻便。日本NEC公司开发出了11.6mm的小型可热插…     

二端子有源矩阵LCD研究进展

首先介绍了传统的各种类型的二端子有源矩阵液晶显示的工作原理、结构和制作工艺。进而介绍了一种优于传统二端子模式的Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，并介绍了此模式的工作原理、研究现状、研究意义及发展态势．传统二端子模式都存在各自的缺点，不能很好地满足AM-LCD对于二端子器件的要求，用于AM-LCD都无法很好地达到预期目的。而Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，相对于其他二端子模式，只需使用二极管的正向特性，对阈值电压的要求降低，工艺更简单，图像显示质量更好，并且较易实现大屏幕显示。在目前TFT-LCD处于主导地位的情况下，通过对二端子有源矩阵液晶显示，特别是Lechner二极管二端子有源方式的研究，也许在不远的将来，实现降低AM-LCD生产线成本，简化大屏幕AM-LCD制作工艺将不是梦想。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

应用12MeV电子束福照效应制造硅P^＋NN^＋高频整流二极管

采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＾＋ＮＮ＾＋普通速流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显改善；产品合格率提高３０％以上，工艺简单易行。