获取汉字串中各字的拼音首字母

介绍了自行开发的获取汉字字符串拼音首字母串的函数，并将该函数运用于具体实例的查询系统中。     

采用晶闸管换向的新型直流脉冲点焊控制器

介绍一种新型直流脉冲点焊控制器的研制。这种控制器以ＳＴＤ微型计算机为控制核心，采用大功率晶闸管作直流换向器。此外还用晶闸管取代了原控制系统的机械式短路机构。新的控制器具有控制功能强、精度高，可靠性更好的特点，已在生产中应用。     

单片机激光衍射测径系统

电荷耦合器件 CCD,在影像传感、信号处理和数字存贮等领域中已得到广泛应用,而 CCD 应用到衍射计量技术有其独到的优越性,将提高衍射计量的精度,具有一定的先进性和实用性。激光衍射测径仪为非接触、快速、高精度线径测量系统,可进行静态定点检测和动态实时测量,并可对连续生产的系统自动监测,测量范围20—510μm,精度在小于200μm 时为±0.5μm。200—510μm 时为±0.5%,其中 CCD 信号的接收全部采用 Apple-Ⅱ计算机软件编程。本文介绍的是以 MCS-51系列单片微机取代系统机,为微小尺寸计量提供了一种新的检测手段和方法。     

激光热处理技术应用前景广阔

激光是一门高新技术，应用领域很广。激光热处理的技术关键有三：高功率的激光器；多自由度的加工设备并与计算机配套；不同应用的激光热处理工艺。经过我国激光科技人员十几年的努力，这三个方面都有了很快的发展，为激光热处理技术的推广创造了条件。近几年来，激光产业以两位数的速度增长，     

激光技术支持三星WSP技术

三星最新的晶圆级堆叠封装（WSP）包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片，藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM，三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。     

简易高性能纳秒脉冲发生器

为了实现电子散射飞行时间谱仪电子束的脉冲化及产生时一幅变换器的启动或停止信号。我们利用开关晶体管的雪崩特性研制了一个性能好，成本低的纳秒脉冲发生器。该发生器输出上升时间好于Ｉｎｓ，幅度达１０Ｖ的负尖脉冲，用作时一幅变换器的启动或停止信号；也输出上升时间约３ｎｓ，幅度５－３０Ｖ连续可调和宽度５－２３０ｎｓ可调的正脉冲，用作电子束脉冲化的调制信号，脉冲重复率为１５０×１０＾３ｓ＾－１。它可广泛用于类似     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。