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991.
《Planning》2017,(5):513-518
我国直流输电快速发展,换相失败是直流输电最常见的故障。结合实际工程几起换相失败案例,从直流输电最基本的换相过程描述交流系统扰动、误触发、丢脉冲等原因引起的换相失败,分析了几种典型原因引起的换相失败的波形差异,阐述了直流输电换相失败的一般性原理,即某种原因导致的阀的无序导通可能引发换相失败,最后从电网规划、控制保护系统优化等方面提出了建议以提高直流输电运行可靠性。 相似文献
992.
993.
从社会发展的需求——粉尘排放标准的日益提高出发,介绍了当前电除尘器高压电源的研究热点——新一代脉冲高压电源的特点和电路工作原理及电路参数设计原则,可供电力电子工程技术人员参考。 相似文献
994.
995.
设计并制备了极紫外啁啾多层膜反射镜,利用同步辐射反射率测试装置完成了样品反射率的测试,采用单纯形算法拟合了反射率测试曲线,分析了顶层Si的氧化对拟合结果的影响.拟合结果表明,2块样品的Si-on-Mo粗糙度为0.4 nm和0.5 nm,Mo-on-Si粗糙度为0.8 nm和0.9 nm,顶层Si的氧化是影响极紫外啁啾多层膜反射镜反射率的重要因素. 相似文献
996.
在磁共振成像中,运用Shinnar-Le Roux算法设计射频脉冲,不仅可以避免Bloch方程引起的非线性问题,而且能有效地抑制旁瓣激发,以获得理想的激发带宽.首先介绍了SLR脉冲设计思想,然后基于密度矩阵理论,应用计算机模拟方法对所设计脉冲的激发带宽进行模拟.最后,给出了测量射频脉冲激发带宽曲线的脉冲序列,并用MRI实验加以验证. 相似文献
997.
基于无线光信道和脉冲位置调制(PPM)信号的特点,将Turbo乘积码(TPC)引入其中,完成了Turbo乘积码和PPM调制硬件电路的设计制作.分别对系统能获得的调制增益和编码增益进行了详细的实验测试,证明了该设计方案可行,实验结果表明:在信息速率为155.52 Mb/s,闪烁指数为0.1,调制阶数M=4,误码率(BER... 相似文献
998.
目的 研究脉冲偏压频率对TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜结构和性能的影响,优化工艺参数,以提高薄膜的性能.方法 采用脉冲偏压电弧离子镀,在M2高速钢和单晶硅基底上以不同脉冲偏压频率沉积TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪和纳米压痕仪,研究脉冲偏压频率对TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜的表面形貌、元素成分、截面形貌、相结构和纳米硬度的影响.结果 TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜表面的大颗粒直径主要集中在1μm以下,随着脉冲偏压频率的变化,大颗粒的数量为184~234,所占面积为40.686~63.87μm2;主要元素为Ti元素和N元素,所占原子比分别为48%和50%,Si和Al元素的含量较少;多层结构不明显,截面形貌可观察到柱状晶的细化,80 kHz时出现片状化结构;以(111)晶面为择优取向,晶粒尺寸在20 nm左右;纳米硬度为28.3~32.3 GPa,弹性模量为262.5~286.8 GPa.结论 50 kHz时,TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜表面大颗粒的数量最少,为184个;70 kHz时大颗粒所占面积最小,为40.686μm2;晶粒尺寸在50~60 kHz时发生细化,60 kHz时,晶粒尺寸达到最小值19.366 nm,纳米硬度和弹性模量分别达到最大值32.3 GPa和308.6 GPa,脉冲偏压频率的最佳频率范围为50~70 kHz. 相似文献
999.
采用脉冲偏压电弧离子镀技术,通过改变脉冲偏压频率在M2高速钢基体上沉积TiSiN薄膜,利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)等仪器,研究脉冲偏压频率对TiSiN薄膜的表面和截面形貌、元素成分、相结构的影响,并通过纳米压痕仪测试了TiSiN薄膜的纳米硬度和弹性模量。在统计的视场内(9×103 μm2),TiSiN薄膜表面的大颗粒直径在0.30~7.26 μm之间,脉冲偏压频率从40 kHz到60 kHz,数量由495个减少到356个,之后随着脉冲偏压频率增加到80 kHz,大颗粒数量又增加到657个;当脉冲偏压频率为60 kHz时,TiSiN薄膜表面大颗粒和微坑缺陷数量最少,Si原子含量达到最小值0.46%;脉冲偏压频率为50 kHz时,TiSiN薄膜以非柱状晶的结构进行生长,厚度达到最小值1.63 μm;脉冲偏压频率为60 kHz时,柱状晶结构细化,薄膜的致密度增加。不同脉冲偏压频率下TiSiN薄膜都在(111)晶面位置出现择优取向,Si以非晶态Si3N4的形式存在于TiSiN薄膜中,没有检测到Si的峰值,形成了TiN晶体和Si3N4非晶态的复合结构。脉冲偏压频率60 kHz下TiSiN薄膜的表面大颗粒最少,纳米硬度达到最大值34.56 GPa,比M2高速钢基体的硬度提高了约3倍。当脉冲偏压频率为50 kHz时,TiSiN薄膜的腐蚀电位达到最大值-0.352 V(vs SCE),比基体提高了723 mV,自腐蚀电流密度达到0.73 μA/cm2;当脉冲偏压频率为70 kHz时,TiSiN薄膜的腐蚀电位达到-0.526 V(vs SCE),自腐蚀电流密度达到最小值 0.66 μA/cm2。 相似文献
1000.
文章从激光的特点和原理出发,简要介绍了相位法激光测距的基本原理,着重突出了FFT(快速傅里叶变换)在高精度中短距离测量上的应用以及在本系统中的优势,从理论上论证了FFT的原理,提出了在DSP上实现FFT的方法。在文中的末尾给出了该方法的误差,并且分析了误差来源,提出了减小误差的方法,提高了系统的测量精度和稳定性。 相似文献