多层硅外延中自掺杂现象研究

探讨了多层硅外延中的自掺杂现象，研究了自掺杂的产生机理，分析了工艺条件对自掺杂的影响，提出了减小自掺杂的几种方法。     

用反向补偿原理解决硅CVD外延自掺杂效应

对自掺杂机理进行了分析研究，并采用逆向补偿原理对吸附－解吸，滞流后静态－动态转换等进行了工艺优化及技术简化，在通常条件下有效地的控制了自掺杂。     

TiO2纳米管阵列的电化学自掺杂及电容特性北大核心

阳极氧化钛箔合成高度有序的TiO2纳米管阵列。通过电化学自掺杂的方法对原始TiO2纳米管阵列电极进行改性,研究了不同掺杂条件对TiO2纳米管阵列电极电化学性能的影响,探索了电化学自掺杂的最佳实验参数。实验结果表明：电化学未掺杂的原始TiO2纳米管阵列电极表现出的最大比电容仅为1.55 mF·cm^-2,在25℃下0.5 mol/L的Na2SO4溶液中,施加5 V电压掺杂30 s后,TiO2纳米管阵列电极导电性显著增强,比电容可达到22.17 mF·cm^-2,是原始TiO2纳米管阵列电极比电容的14.3倍,电化学自掺杂显著提高了TiO2纳米管的导电性及电容性能。同时,电化学自掺杂不会损坏或改变TiO2纳米管的形貌和晶体结构。     

铋自掺杂钼酸铋的合成及其可见光催化性能研究

光催化技术在治理环境和解决能源危机方面表现出了独特的潜在应用价值,然而光催化技术的应用受制于光催化剂的低效率。因此,通过材料改性来提高光催化材料对光的利用率及其催化性能和稳定性尤为重要。本文采用自身具有优良可见光光催化性能的Bi₂MoO₆,通过金属元素的自掺杂对其改性,实验结果证实Bi自掺杂在拓宽Bi_2+xMoO₆可见光响应范围的同时,还能引起Bi_2+xMoO₆的价带导带上移,产生更多具有极强还原能力的超氧负离子,从而增强其降解罗丹明B的效果,以提高它们的可见光光催化性能。为今后设计新型高效的光催化剂提供了新思路。