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142.
划片工艺概述划片工艺隶属于晶圆加工的封装部分,它不仅仅是芯片封装的核心关键工序之一,而且是从圆片级的加工(即加工工艺针对整片晶圆,晶圆整片被同时加工)过渡为芯片级加工(即加工工艺针对单个芯片)的地标性工序。从功能上来看,划片工艺通过切割圆片上预留的切割划道(street),将众多的芯片相互分离开,为后续正式的芯片封装做好最后一道准备。划片工艺的发展历程在最早期,人们通过划片机(Scriber)来进行芯片的切割分离,其过程类似于今天的手工划玻璃,用金刚刀在被切割晶圆的表面刻上一道划痕,然后再通过裂片工艺使晶圆沿划痕分割成单个芯… 相似文献
143.
《自动化技术与应用》2006,25(6):85-85
德州仪器(TI)宣布推出一款小型商性能电源转换芯片(IC),以便与采用TISmartReflex电源管理技术的处理平台实现协同工作。该款高度灵活的转换器不仅具备传输速率高达3.4Mbps的12C通信接口与超快瞬态响应功能,而且采用微小型芯片级封装,因而能够延长3G电话与其它便携式电子产品的电池使用寿命。 相似文献
144.
SallyColeJohnson 《集成电路应用》2007,(8):42-42
在半导体产业中.微型化、高性能和多功能的趋势要求降低封装和芯片级的热设计裕度。预计JEDEC将在今年夏天发布新的集约热建模标准,这些标准与更先进的建模技术一起,将有助于解决未来芯片和封装设计所面临的挑战。 相似文献
145.
采用双向区域重叠组合法,基于三维层次式块边界元法实现了芯片级的互连电容提取.该方法将芯片切分为大量小规模区域。用全局场求解器计算各子区域电容矩阵,可方便地组合出整个芯片的电容矩阵;同时分析了其计算量和精度,并进行了并行计算实验.对实际版图结构的数值实验验证了有关分析结论,表明该方法高效、可靠、并行性能好. 相似文献
146.
为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路. 通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35 μm BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在-40℃~125℃内,基准电压最低仿真温度系数为0.84×10-6/℃,最低实测温度系数为5.33×10-6/℃,随机抽样结果显示温度系数的平均值为7.47×10-6/℃;采用基于计算斜率的修调方法,测试10块芯片的平均修调次数为3.5次,与使用逐次逼近的修调方法相比,效率提升59.8%;低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性,该带隙基准电路已成功应用于电池管理芯片内高精度模数转换器中. 相似文献
147.
美国专利US7385199 (2008年7月10日授权)微测辐射热计红外探测器一旦被确定用于某一项具体应用,它们就要用芯片级或晶片级技术以真空方式封装在非常小的封壳内。但是,目前在市场上还买不到用于监测已封装好的微测辐射热计红外探测器的真空 相似文献
148.
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21~29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性。 相似文献
149.
150.