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991.
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993.
994.
995.
提出应用一颗单555芯片、一个5 kΩ电阻和二个0.01μF电容,构造与实现电路结构最简单的5V单电源供电的混沌信号发生器。反馈电路设计的组合特点是R1C1低通单元负责电容充放电和芯片启动输出脉冲,C2RT高通单元开闸释放芯片输出端的宽带混沌信号直接馈给阈值端以便维持混沌态。分别应用了3颗芯片,采集多谐振荡器与混沌发生器的输出端和阈值反馈端的电压信号,分别基于最大李指数、谱熵复杂度、弹簧测试的结构蠕变率,计算与判别输出端和阈值端的时域信号的周期或准周期稳定性、混沌特性及其复杂性。结论是应用555时基芯片的最简扩展电路成功得到了复杂的混沌信号流,其中的混沌产生机制主要源于芯片内嵌的施密特触发器的随机共振现象。 相似文献
996.
半导体产业是数字经济的基石。依靠工艺制程节点微缩化而使集成电路芯片的晶体管数量每两年翻倍的摩尔定律,已经指导和激励了至今近60年的半导体产业发展。通过类似于摩尔定律散点图的可视化,直观体现了异构集成路线中“延伸”的摩尔定律,即依靠键合间距微缩化而推动能效表现每两年翻倍;以及通过气泡图和雷达图,直观展现了半导体产品典型主体类别之间的多维度特征比较与关系权衡;基于此,阐述了后摩尔时代的三大趋势,即极高性能数字产品的三维异构集成化,极多功能泛模拟产品的复杂异质集成化,以及半导体产业与产品的持续多样化。 相似文献
997.
60 GHz宽带无线通信射频芯片研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
60GHz无线通信技术由于其超高速的数据传输能力,将成为第4代无线通信技术的代表,引发了学术界和工业界研究热潮。近几年,随着半导体技术的发展,基于不同工艺的60GHz宽带无线通信射频芯片已经不断有报道。文中跟踪了近些年国外60GHz无线技术研究情况,分别从应用、技术特点、标准状况和芯片研究进展等方面介绍了60GHz宽带无线通信系统及其发展趋势。 相似文献
998.
外部坏点造成的不良是电容传感芯片制造过程中良率损失的主要来源之一。由于庞大的市场需求和日趋激烈的竞争,有必要进一步提升产品良率。从电容传感的原理出发,阐释外部坏点与产品实际物理结构之间的联系;按照失效分析的思路介绍了大粒径塑封填料颗粒异常混入、小粒径填料颗粒异常聚集和塑封料基体树脂异常聚集3类造成电容传感芯片外部坏点的典型成因;并借助有效介质理论归纳了相应的物理模型,给出大颗粒或聚集体临界尺寸的计算方法。在此基础上,依据外部坏点的物理表现和临界尺寸的计算结果,从塑封原材料的生产和塑封料的来料检验角度,分别提出了管控方案。根据实施方案前后同型号产品多批次因外部坏点导致的不良品扣料监控数据分析,几类措施均能有针对性地提升产品良率。 相似文献
999.
1000.
Ralph Raiola 《今日电子》2007,(7):27-27
富士通实验室开发出了业界第一个能以40~44Gb/s的速率执行时钟和数据恢复的CMOS芯片,使高速光SerDes模块的实现成为可能. 相似文献