GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。     

(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有意提高了V／Ш比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现,表面形貌和光学特性随V／Ш比和温度的变化非常大。最佳V／Ш比和温度分别为400和625℃。     

蓝宝石光纤与光纤高温传感器

蓝宝石光纤作为一种高品质的单晶光纤,具有极好的高温稳定性和光学、机械特性,因此在光纤高温传感和中红外激光传能方面具有相当重要的应用价值。 浙江大学物理系光纤电子材料研究室单晶光纤及应用研究课题组。于1987年在国内首次拉制成功蓝宝石单晶光纤和YAG单晶光纤,并经过多年努力,在蓝宝石光纤高温传感头及光纤测温仪的实用化研究中,取得了较好的研究结果。目前已建立起稳定的晶体光纤激光加热基座法(LHPG)生长设备;能小批量生长优质的蓝宝石单晶光纤材料,光纤光传输损耗优于     

Si(001)衬底上方形3 C-SiC岛的LPCVD生长

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上的成核及长大过程,采用PLCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）观察了SiC岛的形状,尺寸,密度和界面形貌,结果表明,3C－SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散,气相中C原子浓度决定了SiC岛的生长过程。     

磁控溅射中生长参数对氧化锌薄膜性能的影响

介绍了氧化锌的应用和制备方法 ,着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及工作压强对氧化锌薄膜结晶质量和电学性能的影响     

常见人工合成宝石的肉眼鉴别法

人工合成宝石由于是实验室或工厂里生产出来的,所以,在科学技术高度发达的今天,生产出的人工合成宝石对天然宝石的逼真性已经可以达到以假乱真、真假难辨的程度。并且,人工合成宝石的成色相当于所对应的天然宝石的最高档次,这个特性可使人工合成宝石作为仿真首饰的理想     

用薄靶厚衬底方法测量电子碰撞引起的K壳层电离截面

用能谱仪测量特征X射线,从而导出元素钛和钒的K壳层电离截面。为克服制靶困难,实验中采用薄靶厚衬底方法。通过电子输运计算,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正。将结果和Green等的半经验公式以及Jessenberger等的测量数据进行了比较。     

GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象

旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。     

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行MOSFET电路设计所必需的.在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米MOSFET衬底电流的解析模型,模型公式简单.对模型进行了验证,研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响,并分析了模型中拟合因子的物理意义.