Cu（II）掺杂纳米TiO2的制备及其应用研究

本文利用水热法制备了Cu(II)掺杂的纳米TiO2，并用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对其进行了表征。将该材料固定于球形分子筛表面作为催化剂，在流动式圆筒反应器中对罗丹明6G(R-6G)和印染污水进行处理，表现出优良的光催化性能。     

Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体永久性全息存储研究

在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进6%MgO(摩尔分数)采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.晶体在Li2CO3粉末中经500 ℃下24 h的还原处理和在Nb2O3粉末中经1 100 ℃下10 h的氧化处理.晶体的测试结果表明,Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高1个数量级以上.采用He-Ne激光作为记录光, 紫外光作选通光, 用双光子法测试Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体二波耦合衍射效率.双光子稳态衍射效率为η0=52%, 固定衍射效率为ηG=29%, 记录时间为40 min, 记录速度比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高3倍.对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究.     

表面处理对氮化硅陶瓷力学性能的影响

采用X射线衍射应力分析的sin2ψ法计算了Si3N4陶瓷试样的残余应力，并分别测量了表面处理前后Si3N4试样的力学性能。结果表明，经平面磨削后的Si3N4试样表面残余应力为拉应力，而抛光处理可适当降低残余应力。两种方法都使试样抗弯强度降低。     

莫来石-氧化锆-硅-碳系统的合成和性能

以不同比例的碳化硅合成物为基础的莫来石-氧化锆-碳化硅,由像锆粉末、硅线石粉末、氢氧化铝凝胶、铝粉和碳化硅颗粒初级粒子材料相互作用生产而成。这些材料混练后成型,在1450℃、1550℃和 1650℃的温度下烧结。观察了烧结收缩、体积密度、显气孔率和比重。通过扫描式电子显微镜和X射线检验来研究烧结物的显徽结构和桕的发展。人们发现莫来石结晶的相关比例和生长与碳化硅含量和烧结温度有关。     

反应过程中升华型催化剂的物性变化(Ⅱ) X—射线衍射结果

对衰化程度不同的升华型催化剂进行了 X—射线衍射测定。发现在使用过程中催化剂比表面迅速减小,但氯化汞-活性炭催化剂的新旧样品中,氯化汞均保持单层分散。但即将废弃的醋酸锌-活性炭催化剂上,醋酸锌的单层分散情况受到破坏,出现了醋酸锌晶相峰。晶相峰的出现可能与后期使用温度偏高引起烧结有关。晶相峰的出现会降低催化活性,使之不得不被废弃。     

X射线衍射分布分析测定炭黑的微观结构

炭黑通常在橡胶生产中被用作填料，以便改善轮胎的机械性能。虽然炭黑最小的不可分割的单位是聚集体，但在透射电子显微镜(TEM)图象中，聚集体似乎是熔结在一起的球状粒子形成的。聚集体通过范德华力结合成称之为附聚体的网络。聚集体的内在结构不大好     

TREOR多晶X射线衍射图指标化程序的适用性

多晶Ｘ射线衍射图指标化的ＴＲＥＯＲ程序已被普遍采用，特别是在硅酸盐矿物等材料的晶体结构研究工作中应用很多。然而，实际上它存在着一定的缺陷，有可能得出错误的结果。本文对这一程序作了详细的检验，发现即使在理想条件下它都不适用于低对称晶系的指标化。在对程序作改进以后，该程序可适用于高对称晶系多晶衍射的指标化     

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构     

煤的大分子结构与超细物理结构研究(Ⅱ)煤的超细物理结构

回顾了煤的超细物理结构的x射线衍射研究,对散射强度的解析方法进行了评述。讨论了超细物理结构模型,以及在煤化过程中煤结构的变化。提出了多元非晶态和过渡态煤结构的概念。     

磨加工及残余应力对氮化硅陶瓷强度的影响

利用X-射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响。结果表明，磨削工艺所引入的残余应力是拉应力，对陶瓷抗弯强度有显著降低。