纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

糖尿病黄斑水肿分级及其多焦视网膜电图异常改变的研究

目的：探讨糖尿病黄斑水肿（DME）分级及其多焦视网膜电图P1波异常改变。方法：糖尿病眼OCT扫描后进行DME分级,后行多焦视网膜电图（mfERG）检测,分析一阶反应P1波振幅密度和潜伏期随DME进展的变化关系。结果：DME早期已有P1波振幅密度的降低（P〈0.05）,随后出现潜伏期延长（P〈0.05）。结论：随DME进...     

线算子引导Gabor小波的视网膜血管分割

视网膜血管自动分割能辅助诊断某些眼底疾病和系统性血管疾病。为了提高血管自动分割的效率,因此提出了一种线算子引导Gabor小波的视网膜血管分割方法。利用线算子检测血管方向的最优匹配角,将其作为Gabor小波变换的旋转角构建4个不同尺度的Gabor小波,并提取4维Gabor小波特征,加上两个线强度和预处理后的图像灰度,构建7维特征向量,采用SVM进行分类。与其他基于Gabor小波的方法相比,本方法只需计算最优匹配角所对应方向的Gabor小波特征,大大降低了多尺度Gabor小波特征提取的计算量,此外线算子特征与Gabor小波特征的良好互补性,有利于提高血管与背景的辨别度。在DRIVE眼底数据库上进行实验,其平均准确率、灵敏度及特异性分别为0. 936 1、0. 823 8及0. 955 4,获得了不错的分割性能。     

市政工程隧道施工中浅埋暗挖技术的应用

近些年,我国城市化进程越发深入,各城市的基础设施建设也越来越完善,建设的大量交通设施有效缓解了城市居民的出行问题。尤其是近几十年对于地铁项目的建设如荼地进行,使人们的出行更加便捷、高效。在建设部分市政工程项目的时候,尤其是地铁站项目会采用浅埋暗挖技术。该技术虽然具有适用性和灵活性的特点,在地下停车场、地铁工程、地下管线...     

一种硅油填充术眼内硅油乳化过程模拟可视化方法

眼科中治疗孔源性视网膜脱离(RRD)的玻璃体切割联合硅油填充术中,预测术后硅油乳化情况,并根据其确定术中适宜硅油填充量和最终取出时间是手术成功的关键。然而手术流程中医生无法直接观察眼球内部结构,很难对填充物质进行定量分析,手术完成后亦对硅油乳化状态缺乏可视化认知。该文提出一种基于光滑粒子流体动力学的体积不可压缩多相流体计算框架,结合表面张力模型对眼内环境中硅油和水的耦合进行数值计算;构建以力平衡散体动力学模型为基础的多相流体互溶扩散模拟方法,对硅油乳化过程进行可视量化分析。实验表明,该方法可以稳定模拟强表面张力作用下多相流体耦合以及可混溶多相流体相间交互效果,从而有效辅助医生判定所需硅油填充量,并预测评估硅油乳化状态对手术预后的影响。     

浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器

为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。     

Nd:YAG激光意外视网膜损伤

本文对一例Nd:YAG激光视网膜病例进行调查,并对其照射剂量进行估算。     

开环双波段人眼视网膜成像液晶自适应光学系统设计

设计了一套基于开环双波段模式的人眼视网膜成像液晶自适应光学系统。该光学系统分别采用夏克-哈特曼波前传感器和液晶空间光调制器来探测和校正波前畸变。探测波段采用830nm近红外光,成像波段采用790nm近红外光。采用开环模式以提高光能利用率和系统的稳定性,采用双波段模式以增大视场。新加入了瞳孔监控子系统和响应矩阵测量子系统,使系统更加灵活方便。介绍了系统的关键参数,并通过ZEMAX软件对光学系统进行模拟分析,认为系统可以达到接近衍射极限的效果。传递函数MTF@50lp/mm达到0.25(对应视网膜上3μm),满足设计要求。     

多晶硅膜离子注入和扩散掺杂制备浅结的研究

本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。