在应用程序中访问扩展内存的方法及其实现

阐述了扩展内存的工作原理和组成方式，介绍了ＬＩＭ开发的ＥＭＭ对扩展内存管理的原理和工作方式以及通过在ＰＡＳＣＡＬ的应用程序中对扩展内存进行数据的存入和读取操作，说明如何对扩展内存进行访问。｝ＦｕｎｃｔｉｏｎＨｅｘ＿Ｓｔｒｉｎｇ（Ｎｕｍｂｅｒ：Ｗｏｒｄ）：ＳＴ５；ＦｕｎｃｔｉｏｎＧｅｘ＿Ｃｈａｒ（Ｎｕｍｂｅｒ：Ｗｏｒｄ）：Ｃｈａｒ；ＢｅｇｉｎＩｆＮｕｍｂｅｒ＜１０ｔｈｅｎＨｅｘ＿Ｃｈａｒ：＝Ｃｈａｒ（Ｎｕｍｂｅｒ＋４８）：ｅｌｓｅＨｅｘ＿Ｃｈａｒ：＝Ｃｈａｒ（Ｎｕｍｂｅｒ＋５５）；Ｅｎｄ：｛ＦｕｎｃｔｉｏｎＨｅｘ＿Ｃｈａｒ｝ＶａｒＳ：ＳＴ５：ＢｅｇｉｎＳ：＝＇＇；Ｓ：＝Ｈｅｘ＿Ｃｈａｒ（（Ｎｕｍｂｅｒｓｈｒ１）ｄｉｖ２０４８）；Ｎｕｍｂｅｒ：＝（（（Ｎｕｍｂｅｒｓｈｒ１）ｍｏｄ２０４８）ｓｈｌ１）＋（Ｎｕｍｂｅｒａｎｄ１）；ｓ：＝Ｓ＋Ｈｅｘ＿Ｃｈａｒ（Ｎｕｍｂｅｒｄｉｖ２５６）；Ｎｕｍｂｅｒ：＝Ｎｕｍｂｅｒｍｏｄ２５６；Ｓ：＝Ｓ＋Ｈｅｘ＿Ｃｈａｒ（Ｎｕｍｂｅｒ）；Ｈｅｘ＿Ｓｔｒｉｎｇ：＝Ｓ＋＇ｈ＇；Ｅｎｄ；｛ＦｕｎｃｔｉｏｎＨｅｘ＿Ｓｔｉｎｇ｝｛检查ＥＭＭ是否安装｝ＦｕｎｃｔｉｏｎＥｍｍ＿Ｉｎｓｔａｌｌｅｄ：?     

大角度倾转法在碳化物研究中的应用

蠕变过程中碳化物形貌，类型，数量和分布状态的变化直接影响着材料的高温性能，因而在材料的蠕变得到了广泛的重视，介绍了一种在碳膜萃取复型样品上利用Ｈ－８００透射电子显微镜的双倾样品台进行了大角度倾转，来观察碳化物形貌并鉴定其类型的试验方法。     

热处理工艺对冲击曲线的影响

通过ＳＡ５１５Ｇｒ．７０钢的不同温度正火和１３ＭｎＮｉＭｏＮｂＲ钢正火不同温度回火试样的示波冲击试验，研究了不同热处理工艺对冲击曲线的影响。     

感受创意的力量——隽竹情节

对你来说，这些产品或许都是才面孔，但从工业设计角度重新审视一番，它们在你眼中将是另一种不同的形象。     

ADI推出iCMOS制造工艺

日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。     

计算机总线的发展趋势

本文着重介绍世界上目前最流行的几种计算机总线的情况，以及今后的发展趋势。     

单片机I／O口扩展技术与总线可靠性设计

在单片机家族的众多成员中, MCS-51系列单片机以其优越的性能、成熟的技术、高可靠性和高性价比,占领了工业测控和自动化工程应用的主要市场,成为国内单片机应用领域中的主流机型。MCS-51单片机有4个8位并行口P0、P1、P2和P3,由于P0口是地址／数据总线口,P2口是高8位地址线, P3口具有第二功能,这样,真正可以作