193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

基于工程应用观点的软仪表开发策略

软仪表至今尚缺乏系统的开发思路。本文根据现代设计方法学的理论，从工程应用的角度探讨了软仪表的开发策略，给出了软仪表的开发步骤及内容，指出了开发中应注意的问题。该策略能提高软仪表的开发效率，减少实施中的盲目性，现已成功地运用到某纸机低定量纸张水分的软测量实践中。     

光刻伺服盘媒体微细加工技术

阐述了光刻伺服盘媒体微细加工实验过程，分析了刻蚀工艺影响磁盘光刻图形的不利因素，实践证明利用半导体微细加工技术光刻伺服盘，能大幅度提高磁道密度，增加磁盘驱动器的容量，是一种先进的可行方法。     

晶体管的计算机辅助设计

将晶体管设计中繁琐的纵向、横向参数的设计计算以及参数验算,采用Basic人机对话方式,由计算机完成。并用BAsic语言绘制出所需的七块光刻掩膜图。既大大地减轻了设计人员繁琐劳动、缩短了设计时间、提高设计质量,又便于修改。还可广泛用于同种结构的不同动率要求的各种晶体管的设计中。     

铁钴钒软磁合金损耗谱的分形结构

研究了铁钴钒软磁合金的铁芯损耗，发现铁芯损耗谱具有分形结构。讨论了带材厚度和磁感应强度对分形维数Ｄｆ的影响。     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

珠海电厂软土特征及处理

主要介绍珠海电厂厂址软土的土质情况，主要物理力学性质和分布特征，根据软土的工程地质特征和软基处理特点，提出适应本厂区软基处理的各种方法，并地各种处理方案进行了对比分析，从而选择本区软基处理的最佳方案。     

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金的晶化动力学

用ＤＴＡ结合ＸＲＤ了Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９晶合金的晶化动力学。表明，该事金在５００℃时析出α－Ｆｅ（Ｓｉ）相。晶化初期激活能最小为２４２ｋＪ／ｍｏｌ，它随晶化量的增加，在ＸＣ为０．４－０．８时，呈极大值为５２０ｋＪ／ｍｏｌ。在６２４℃时析出Ｆｅ２Ｂ相。     

鲁布革心墙堆石坝的设计特色及其回顾和评价

鲁布革工程局１０３．８ｍ的心墙堆石坝在设计上具有它的特色，主要可归纳为三方面：以软岩风化料作为心墙防渗料；在坝基处理上不同于以往的一些做法；有系统的大坝原型观测设计并取得了完笠的观测资料．至今．大坝已安全运行六年，根据原型现出成果，对大坝设计做一个回顾并加以个人的评述是有益的。