SRAM数据残留现象的机理分析

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.     

一种新型小型化微带天线的全波分析

本文介绍了一种新颖的小型化微带天线.利用在贴片上面开一个C型缝隙,使得谐振频率明显降低,尺寸仅是传统的半波长微带天线的33%,阻抗带宽略有增加,并且加工相对简单.利用时域有限差分法(FDTD)对这种天线进行了较为全面的理论分析,给出了输入端反射损耗特性和辐射特性.同时给出了矩量法(MoM)分析结果和测量结果,具有较好的一致性.此种天线可应用于对天线尺寸有严格限制的场合.     

高功率高可靠性9XX nm激光二极管

为了提高半导体激光二极管的输出功率和可靠性,通过在有源区两侧势垒层和波导层之间引入高禁带宽度的GaAsP,抑制有源区载流子的泄漏,极大地改善了器件的性能。研究结果表明:在10~40℃温度范围内器件特征温度从原来的150 K提高至197.37 K(-75.76℃),峰值波长随温度的漂移系数为0.207 nm/℃;条宽200μm、腔长2000μm的9XX nm激光二极管可靠性工作的最大输出功率高达14.4 W;器件在注入电流为7 A时取得71.8%的最大电光转换效率,斜率效率为1.21 W/A。器件在恒定电流下的加速老化测试显示激光二极管可靠性工作寿命达2000 h以上。     

印制板设计中的抗干扰技术

简要叙述了影响印制析抗干扰性能的几个因素,对这些因素进行了理论分析,提出了印制板制作过程中应采取的措施。     

常数载流子寿命近似对分析半导体光混沌系统工作特性的影响

人们在分析半导体光混沌系统的工作特性时 ,通常假定激光器中的载流子寿命为一常数 (本文称为常数载流子寿命近似 (CCLA) )。本文从激光器中载流子的实际复合机制出发 ,得到了处于混沌态时激光器载流子寿命随时间的变化曲线 ;数值研究了半导体激光器光混沌系统的工作特性 ,并把所得的结果与采用常数载流子寿命近似 (CCLA)所得的结果进行了比较 ,发现采用CCLA不仅会导致对混沌区的错误判定 ,并且还会影响对系统同步误差的分析。     

一种新的非平稳信号分析方法－局域波分析

该文介绍一种新的非平稳信号分析方法一局域波分析。该方法源于瞬时频率的概念,它能把动态信号的局部特征正确地在时频域内予以描述。局域波分解的基不是固定的,而是随动态信号波形的变化而变化,具有自调节自适应的特征。与传统的时频分析方法相比,局域波分析有很多优点,它是分析非平稳信号的一般方法。该文讨论了局域波分析的应用,指出了该方法需进一步研究的有关问题。     

掺杂空穴传输层的有机电致发光器件性能研究

以F4-TCNQ为p型掺杂剂,掺入m-MTDATA作为空穴传输层,ITO导电玻璃作为阳极,Alq3作为发光层,Bphen作为电子传输层,LiF和Al分别用作电子注入层和阴极,制备有机电致发光器件。相比于未掺杂器件,电压及功率效率获得提高。这归功于p型掺杂使阳极与空穴传输层界面产生欧姆接触,及空穴传输层传导率的提高,而随着掺杂的引入及掺杂浓度的增加,注入的空穴变得过剩,使载流子不平衡变得越发严重,导致器件电流效率及亮度降低。因此,应该加强电子的注入及传输,以达到载流子平衡,同时达到降低器件电压、提高功率效率、电流效率及亮度的目的。     

出口冻菜加工质量控制及质量检验要点

０　前　言利用中国农村劳动力丰富的优势,发展优质高效的农业生产,并通过初级农产品的加工出口来延长农业产业链,同时获取国际农副产品市场的高额回报;通过参与国际经济大循环,实现保障国民经济的有效供给和农民增产、增收这一双重目标,进而有效地推进对传统农业的现代化改造的进程,此已成为中国农业产业化的重要内容。在此背景下,自１９９２年开始,中国各地尤其是沿海省份已逐渐掀起了出口蔬菜加工的热潮,而其中的主要品种是速冻蔬菜。现就出口冻菜加工过程中的质量控制及质量检验要点,结合实践,谈一些经验和建议。１　原料采…     

数字化变电站在智能电网中的应用

目前在我国智能电网蓬勃发展的大背景下,数字化变它站是未来发展的必然趋势。文中参照了IEC61850标准分析了数字变电站的分层结构和设计等问题,并说明了数字变电站所具有的优势。随着智能电网的提出,湖北省数字化变电站逐步向智能电站发展,在智能电网中占据了重要地位。     

衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响

研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.