石英摆片导带“断裂”故障分析

叙述了真空蒸发金属膜的形成过程和膜层结构，运用金属原子迁移理论分析了挠性力平衡力速度传感器石英摆片导带“断裂”故障，提出了增强可靠性的技术途径。     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。     

压差式漏率测试仪的实验研究

将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器，静态真空室接于一个比较容器，即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡，真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时，真空计薄膜两侧形成压差，真空计指示读数，继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时，检测的最小可测漏率达10－4～10-5Pa·L／s；而在充压测试时，因受气体温度变化的影响，灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。     

35CrMnSiA薄膜零件变形分析及改进措施

本文介绍用网带炉对35CrMnSiA薄壁零件淬火，对零件变形引起的尺寸超差原因进行了试验与分析并采取了相应的措施，结果表明：采用YⅡ－35等温分级淬火油冷却介质和热处理前零件的壁厚差尺寸控制，可以得到淬，回火后零件的尺寸满足技术要求。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

用于金属化薄膜分切机安全设计的YB—2B型人体感应模块

扼要论述YB－2B型人体感应模块的基本原理，结合实际情况，介绍此种模块在工业安全生产中的应用。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。