IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor),即电子注入增强门极晶体管,是东芝公司于1993年开发出的新一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点,可以确信,它将会替代IGBT和GTO,并广泛应用于大功率电力电子设备,特别是FACTS设备。就其基本结构、工作原理和应用范围作了简要的介绍。     

IGCT--GTO技术的最新进展

IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍。     

双芯GCT局部少子寿命控制方法的研究

双芯GCT(Dual-GCT)是一种基于传统的非对称GCT提出的一种新型电力半导体器件,同时拥有很低的导通损耗和关断损耗。少子寿命是双芯GCT的关键参数,对其静、动态特性有重要的影响。采用ISE-TCAD软件分析了局部寿命控制对波状基区双芯GCT(CP Dual-GCT)特性的影响,结果表明,通过局部电子辐照和质子辐照实现的局部寿命控制可以改善波状基区双芯GCT的综合特性,降低其损耗。     

矿用异步电动机分级离散变频软启动方式研究

针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主调压电路采用门极可关断晶闸管GTO代替传统的可控硅晶闸管来调节电源频率,并用理想型开关组代替三相断路器来控制其关断,从而防止过电压或过电流对电路造成损害,达到保护电路的目的。Matlab仿真结果表明,改进的分级离散变频软启动方式不仅能降低启动电流,增大启动转矩,还能有效保护电路。     

赛米控SEMIX5可提高卓越的热性能与动态性能的标准

<正>赛米控SEMiX5产品的推出让公司SEMi X产品系列更完整。该带铜底板模块的高度为17mm,采用坚固耐用的功率端子和Press-fit连接,让低成本的门极驱动器无焊接装配成为可能。由于该产品杂散电感显著减少,运行安全性就更高并且模块损耗亦更低,可以为UPS、太阳能、电源和电机驱动等应用提供高效的解决方案。     

±1100kV特高压直流输电用6英寸晶闸管及其设计优化

为满足国家±1 100 kV特高压直流的应用需求,适应换流阀用晶闸管向更高电压等级、更大电流容量、更高可靠性发展趋势,基于中国南车现有6英寸晶闸管成熟技术基础,通过计算机仿真与试验相结合的方法,优化晶闸管芯片结构设计,改善了晶闸管芯片边缘电场分布和电压稳定性,改善器件内部热分布与外部散热,提高了晶闸管电流容量;优化晶闸管芯片放大门极结构设计,改善了器件的动态特性;采用先进的电子辐照技术,通过试验优化辐照工艺,进一步改善了晶闸管静态参数与动态特性折衷关系;研究开发出6英寸5 000 A/8 500 V晶闸管,器件的所有静、动态参数达到设计指标,通过了可靠性试验,满足±1 100 kV特高压直流输电换流阀的应用要求。     

高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真

文中对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明了该驱动电路的有效性和适用性。     

电力电子器件知识讲座(一) 电力电子器件的分类及应用概述

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件技术"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

美国国家半导体推出l0款全新SolarMagic IC芯片

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp．）宣布推出一系列共10款全新的SolarMagic Ic芯片,其优点是可以降低光伏系统的发电成本,提高其稳定性并简化相关电路设计。该系列全新芯片拥有全桥门极驱动器和微功率稳压器,适用于光伏系统内各种不同的电子装置,其中包括微型逆变器、电源优化器、充电控制器和电池板安全系统。     

采用动态电压上升控制的1700 V大功率IGBT有源门极驱动技术

为了抑制大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断电压尖峰,提出了一种有源门极控制方法及其优化方法。该控制方法采用电容反馈关断电压上升率来控制驱动电路,通过具备定时功能的高速高增益放大器降低反馈电容的容值,补偿集电极电流输出响应相对于有源门极控制信号的延时,并保证所提出的有源门极控制方法仅在IGBT关断过程中工作,提高了电路工作的可靠性。通过SABER仿真分析了关键参数对该方法抑制关断电压尖峰效果的影响,提出了一套品质因数评价体系,用于定量评估不同参数下的控制效果。风力发电变流器在极端工况下的实验结果表明,所提出的方法使用较小容值的反馈电容依然能够在仅有400 V电压裕量的严厉条件下降低电流下降速率,从而保证了IGBT的安全工作。