利用阵列感应测井资料反演地层径向电导率

采用阵列感应测井仪测得的具有不同径向探测深度的5条电导率曲线完成了井中径向电导率分布反演。径向侵入剖面模型由冲洗带、原状地层和从冲洗带到原状地层的过渡带3部分组成。该侵入剖面模型较传统的仅由冲洗带和原状地层构成的台阶状侵入剖面模型更加接近地层径向侵入剖面的真实情况。与台阶状侵入剖面模型相对应的参数模型包括冲洗带电导率、原状地层电导率和侵入半径3个参数。而与含有过渡带的新侵入剖面模型相对应的参数模型除包括冲洗带电导率、原状地层电导率和过渡带中点半径外，还有一个反映过渡带电导率变化的指数N0根据反演得到的过渡带中点半径和指数N可以求出过渡带起点半径和过渡带终点半径。而且根据反演过程中采用的正演响应函数可以计算出任意径向深度处过渡带的电导率值。数值试验结果说明了该方法的正确性，实际资料处理结果说明了该方法的有效性。     

国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景

本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。     

简述多单元叠加式馈源的加工方法

介绍某系统发射阵列天线的加工工艺。该天线具有多单元、叠加式、配合面多、尺寸精度要求高、超薄片嗽叭加工易变形、加工难度大等特点。通过试验和论证总结出一种可投入批量生产的工艺方法，阐述了该方法的具体工艺实现和加工过程。     

稀疏阵列天线综合的遗传算法优化

通过遗传算法优化选择常规满阵中一定比例的工作单元,使阵列在欠饱和状态下达到窄波束低副瓣的要求。以单元的工作状态和激励幅度为优化参量,波束宽度和副瓣电平为适值函数,通过适值缩放和多种群进化竞争使遗传进化稳定地收敛到全局最优。详细分析了稀疏阵的单元布局、稀疏率及单元激励对优化阵列特性的影响。     

大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法，在石英衬底上制备了大面积，高定向性、自支撑的碳纳米管阵列。二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂，连续进给到反应装置中，在一定温度条件下，碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列。这种方法可以获得很高的生长速度，其最大长度可以达到几个毫米。拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度。     

RAID技术综述

通过对各种RAID级别的实现原理进行描述，综合分析了各种模式的性能、优缺点以及应用范围。     

利用垂直阵列构作Cartesian认证码

利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。     

基于逻辑查阅表和多路开关库的现场可编程门逻辑的延时优化

早先对ＦＰＧＡ的延迟优化工作主要集中在减少关键路径中各元胞块的级数，但缺少用以控制元胞块增另的有效方法。在ＦＰＧＡ的情况下，所使用的元胞块数量也会在很大程度上影响布线后的最终延迟，因为大多数延迟是由存在的可编程互连所引起的布线延迟。中讨论了两类ＦＰＧＡ即基于查阅表的ＦＰＧＡ和基于多路开关复用器的ＦＰＧＡ的延迟优化，提出了可用于逻辑优化阶段的一种新的延迟优化方法，可以解决元胞块级数的减少与元胞块数     

单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ ＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。