以光子阱提高光学集成度

伊利诺斯州西北大学的研究人员和佛罗里达州美国集成光学公司的工业合作者正在发展以光子阱和光子线为基础的光子器件，光子阱和光子线是分别使光进行一维和两维强烈约束的微型光波导。这种器件包括微型环状激光器和微腔共振器。据该大学主要研究人员ＳｅｎｇＨｏ说，可以想像，这种器件可成为一代光电子元件的前奏或组件构成，这种器件不仅更为有效，而且也更加小巧，可望产生高密度光子集成。集成光学公司的ＭｅｅＣｈｉｎ把光子线描述成是量子阱或势阱的必然光学结果，这种阱从尺寸为德波罗依波长（约１０ｎｍ）量级和较低电子势的区域获…     

高效气体净化过滤器

用过滤器除掉气体中的尘埃微粒，国内、外巳得到普遍推广应用。近十多年来，集成电路技术发展相当迅速，集成度愈来愈高，功能愈来愈多，构造愈来愈复杂，线条宽度愈来愈细，加工制造愈来愈难。气体中的尘埃微粒对集成电路的质量及成品率有极大的影响，严重者会导致整个电路报废。     

车载低端图像数据采集存储及传输系统

使用低端的图像采集压缩传输芯片可以实现新型车载图像系统的构成和控制编程,实际使用证明该方案有集成度高、存储量大的特点,能够实现车载图像采集的功能。     

带EMI滤波器的高集成度数字可编程传感器放大器

设计工程师正在面临以汽车制造商要求的低系统成本提供高性能和高可靠性的挑战。这种挑战的一个例子就是校准传感器辅出的增益和失调误差。     

片上系统（SoC）及硅知识产权（IP）

硅集成电路自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明至今的40多年来，为满足电子整机系统及其终端产品日新月异的发展需求，在技术及其产品市场需求的驱动下，已经历了孕育期、开发期、发展期和成熟期。表1显示了在整个集成电路(IC)发展历程中，其一直遵从摩尔定律，追求着集成度的提高和成本降低的变化规律(即集成度以每3年增加4倍的速度在发展，同时，当集成度提高2个数量级，单位器件成本就下降一个数量级)。     

POL电源设计技术和参考设计

处理器技术的发展 由于更高的集成度、更快的处理器运行速度以及更小的特征尺寸,内核及I／O电压的负载点（POL）处理器电源设计变得越来越具挑战性。处理器技术的发展必须和P0L电源设计技术相匹配。5年或10年以前使用的电源管     

数字集成电路测试中测试矢量的生成

引言电路的日益复杂和集成度的不断提高,测试已成为集成电路设计中费用最高、难度最大的一个环节。本文主要讨论了测试中伪随机测试矢量的生成,并提出了改进其周期的办法,从而能大大提高故障的覆盖率。最后通过硬件描述语言Verilog在QuartusⅡ软件下进行仿真,验证了其正确性。