a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

a—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在ａ－ＳｉＴＦＴ－ＡＬＭＬＣ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计，性能改善，提高矩阵板一致性和完整性，液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。     

新能源材料

多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚生产基地在江西新余开建；年产4500t的多晶硅项目在宁夏开工建设；尚德（上海）太阳电池制造基地奠基；年产5MW的非晶硅太阳能电池生产线项目即将开工建设。     

非晶硅薄膜激光晶化及其结构分析

以射频(频率为13.6MHz)磁控溅射系统制备的非晶硅薄膜为前驱物,采用激光晶化技术实现从非晶硅薄膜到纳米晶硅薄膜的相变过程。采用拉曼光谱仪和高分辨透射电镜对激光晶化薄膜的组织结构进行了研究。结果表明:薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,微晶硅晶粒尺寸在纳米级。激光晶化存在一个最佳工艺参数,功率太高或太低都不利于晶化。     

掺杂层对非晶硅异质结太阳电池特性影响的研究

近非晶硅/单晶硅异质结太阳电池因其较大的技术优势而受到广泛关注,但由于器件结构较为复杂,引入了较多的界面缺陷,即使沉积的薄膜具备良好的光电特性,所制备出的器件也不一定有高的转换效率。通过对p型及n型非晶硅沉积层分别进行掺杂,根据实验结果,随着掺杂浓度的增加,非晶硅层的钝化质量逐渐降低,界面上缺陷态密度逐渐增加,且掺杂气体PH3比B2H6可更好地掺入到薄膜中。分别采用p型及n型非晶硅层制作成异质结太阳电池,通过电池特性参数可以推断出:当掺杂量足够高到可以产生足够的场效应来推动载流子运输,并且足够低到可以避免产生过多缺陷时,电池性能最佳。此外,研究还发现:n型非晶硅层更适合做电池背表面场,而p型非晶硅层更适合做电池正面。     

纵向a—Si MOSFET集成电路

采用非晶硅的原生二氧化硅作为绝缘栅，使纵向a-Si MOSFET的特性得到明显的改善。a-Si材料的最大场致迁移率为1.2cm/V.s。用纵向a-Si MOSFET成功地研制了E／E倒相器和环型振荡器，最小门延时时间为95ns，同时还描述了a-Si MOSFET RS触发器的电路特性。     

硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

以硅烷（SiH4)和硼烷（B2H6）为气相应反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出轻掺硼非昌氢硅薄膜，X射线衍射，原子力显微镜和光，暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率，降低了非晶氢硅薄膜的光，暗电导比，并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长，红外吸为研究预示了大量的硼原子与硅，氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。