a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

a—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在ａ－ＳｉＴＦＴ－ＡＬＭＬＣ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计，性能改善，提高矩阵板一致性和完整性，液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。     

新能源材料

多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚生产基地在江西新余开建；年产4500t的多晶硅项目在宁夏开工建设；尚德（上海）太阳电池制造基地奠基；年产5MW的非晶硅太阳能电池生产线项目即将开工建设。     

亚洲最大薄膜太阳能电站并网发电

山东济宁华翰光伏电站一期18兆瓦太阳能发电项目10月13日正式并网发电。华翰光伏电站总设计发电能力30兆瓦,为亚洲最大的薄膜太阳能电站。这次并网发电的济宁华翰光伏电站,项目总投资9亿元,年发电量3822万千瓦时,可减排二氧化碳约3.35万吨,     

总投资40亿元的薄膜太阳能电池项目落户郑州

2009-12-02,郑州高新区管委会与中国保绿能源有限公司举行500MW非晶硅薄膜太阳能电池项目签约仪式。这是继阿格斯太阳能薄膜有限公司在高新区落户后的又一重大太阳能项目。     

非晶硅薄膜电池应用及前景分析

通过详细阐述非晶硅薄膜电池的结构和优点,论证了非晶硅薄膜电池具有的广阔应用前景,尤其在遮阳、中空光伏组件中的应用具有明显的优势,其对可再生能源的发展有着积极的推动作用。     

掺杂层对非晶硅异质结太阳电池特性影响的研究

近非晶硅/单晶硅异质结太阳电池因其较大的技术优势而受到广泛关注,但由于器件结构较为复杂,引入了较多的界面缺陷,即使沉积的薄膜具备良好的光电特性,所制备出的器件也不一定有高的转换效率。通过对p型及n型非晶硅沉积层分别进行掺杂,根据实验结果,随着掺杂浓度的增加,非晶硅层的钝化质量逐渐降低,界面上缺陷态密度逐渐增加,且掺杂气体PH3比B2H6可更好地掺入到薄膜中。分别采用p型及n型非晶硅层制作成异质结太阳电池,通过电池特性参数可以推断出:当掺杂量足够高到可以产生足够的场效应来推动载流子运输,并且足够低到可以避免产生过多缺陷时,电池性能最佳。此外,研究还发现:n型非晶硅层更适合做电池背表面场,而p型非晶硅层更适合做电池正面。     

日本HIT太阳能电池光电转换率创新高

HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，这种太阳能电池按单位面积计算的发电量保持着世界领先水平。日本三洋电机公司19日发布新闻公报说，该公司研制的非晶硅锗混合型异质结（HIT）太阳能电池在研究阶段达到了22％的光电转换率，创造了100m。以上实用级尺寸的HIT太阳能电池光电转换率的新纪录。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

液相混合辅助低温制备Ca_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光粉

采用液氨介质溶解原料金属Ca、Eu形成金属-氨溶液,原料非晶硅悬浮于溶液中,通过液氨挥发使金属-氨溶液产生过饱和,并以金属酰胺形式沉析在非晶硅表面,将这种液相混合处理的原料在常压1100℃保温6h合成Ca2Si5N8:Eu2+荧光粉。采用XRD、SEM和PL光谱仪分别表征了产物的晶体结构、微观颗粒形貌以及发光性能。结果表明:这种液相混合降低了荧光粉合成温度,在常压下1100℃保温6h合成了结晶良好的Ca2Si5N8:Eu2+荧光粉;合成的荧光粉颗粒呈类球形且分散性较好;合成的Ca2Si5N8:Eu2+荧光粉激发峰为467nm,发射峰位于580nm。