深亚微米物理设计的挑战与方法

随着集成电路加工工艺技术向0．18微米或更小尺寸的继续发展，设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小，时钟频率越来越高，电压越来越低，上市时间越来越紧迫，因此设计复杂性迅速增加，互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战，人们展开了深入的研究，提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战，回顾物理设计的方法，比较它们的优缺点，指出它们的适用范围，最后展望深亚微米物理设计的发展方向。     

国半和ARM公布有关PowerWise^TM Interface开放式接口技术标准

美国国家半导体公司与ARM公司2003年10月9日宣布,携手推出一种称为PowerWiseTM Interface的接口技术。两家公司更会进一步合作,推动业界采用这个开放式的接口,作为系统电源管理的标准接口。PowerWise接口技术为数字处理器及电源管理集成电路的连线互通提供一个开放式的业内标准,使便携式电子设备可以迅速采用先进的电源管理解决方案。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

烽火网络运营级以太网技术亮相网络世界大会

9月6～7日，第5界网络世界大会暨以太网世界大会在北京嘉里中心召开，“同一个梦想，同一个网络”成为此次大会共同探讨的主题，包括烽火网络在内的国内外知名网络设备厂商共同参加了此次盛会，在大会上烽火网络还做了“业务驱动下的运营级以太网”主题技术演讲，并得到与会技术人员的广泛关注。     

基于光子带隙(PBG)结构的小型K波段谐振式带通滤波器

提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器，给出了近似设计公式，并在半导体衬底上，采用微电子的工艺实现了这种结构。这种滤波器设计方法简单，体积小，整个长度接近谐振频率上的导波波长，加工方便，便于与其他电路集成，带内损耗小，阻带范围宽，带外抑制高。另外，本文的理论分析和实验结果均基于半导体衬底，可以直接应用于微波集成电路中。理论模拟与实际测量值基本吻合。     

打开需求之门——在中国实践用例技术的感悟

我这几年的工作主要是为各种软件开发团队作指导,指导团队如何将用例驱动的面向对象方法真真正正应用到团队的当前项目中。贯彻的起点往往是需求技术,即用例技术。在这个过程中收获良多,把一些感悟和思路总结如下与大家共享,比较粗糙,请多指教。     

用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能

在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性.     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。