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991.
2,2-二(3-氨基-4-羟基)苯基丙烷的合成与结构表征 总被引:4,自引:0,他引:4
分别在Pd/C、FeOOH和FeCl3·6H2O/C三种不同催化剂存在下,由水合肼还原2,2 二(4 羟基 3 硝基)苯基丙烷(1)合成了2,2 二(3 氨基 4 羟基)苯基丙烷,筛选出成本低、收率高的理想催化剂为FeCl3·6H2O/C。当物料配比n(水合肼):n(1)=5:1,反应起始温度为70℃,反应时间为80min时,收率为93 0%。产物经重结晶纯化后,由元素分析、红外光谱、核磁共振谱和质谱对其结构进行了表征,确证了产物的结构。 相似文献
992.
993.
994.
995.
工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献
996.
基于CAD/CAE/CAM/RP的复杂陶瓷产品快速制造技术 总被引:5,自引:2,他引:5
针对目前手工方式的卫生洁具等复杂陶瓷产品的研发过程,借鉴CAD/CAE/CAM/RP技术在其它制造行业中应用的成功经验,将这些先进制造技术应用于卫生洁具等复杂陶瓷产品的研发中;CAD用于设计产品和模具的模型,CAE用于模拟洁具冲水过程和分析冲水性能,RP用于制作洁具产品的原型,CAM用于加工试用石膏工作模具。就这些技术的应用提出了两种主要方案,并分析了各自的特点。经过实际应用表明:先进制造技术的应用能大大缩短产品研发周期、提高产品质量、降低开发成本。 相似文献
997.
998.
999.
介绍了一款四路输出DC/DC变换器的设计,并给出了主要技术指标、组成方框图、电路原理图和变压器的绕制方法。该设计在保证纹波噪声、效率、体积和重量等重要指标均满足要求的情况下,仍具有低交叉调整率的突出优点。 相似文献
1000.