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41.
采用掺入Zn来改良红色长余辉发光材料CaTiO3:Pr^3+的发光亮度及余辉性能.通过对该材料的X射线衍射谱、发光光谱和余辉衰减过程进行分析与测试,发现改变zn的掺入量对该发光粉体余辉性能的影响规律,当Zn^2+的含量为15%~25%时,发光粉体具有最佳的余辉性质.  相似文献   
42.
从绿色化学的观点出发,选择无毒、无害的水作溶剂,环境友好、无毒的葡萄糖同时作还原剂和稳定剂,在加热条件下还原HAuCl4制备金纳米粒子。实验中通过加入不同量的NaOH和葡萄糖,合成出了不同尺寸、形貌的金纳米粒子。当n(NaOH)∶n(HAuCl4)∶n(葡萄糖)=3∶1∶10时,得到了分散较好的直径10~20 nm、长度可达2μm的多晶结构的金纳米线。根据透射电镜、X-射线衍射的测试结果对纳米线的生长机理进行了分析认为,首先纳米金进行定向排列,然后由于金属键的作用导致金纳米线的生成。  相似文献   
43.
Sputtering of Zn(O,S) from ZnO/ZnS compound targets has been proven to be a promising buffer layer process for Cd‐free CIGS modules due to easy in‐line integration, low cost and high efficiency on lab scale. In this publication, we report on successful upscaling of the lab process to pilot production. A record aperture efficiency of 13.2% has been reached on a 50 × 120 cm2 sized module. Neither a non‐doped ZnO layer nor additional annealing steps are required. Moreover, this very reproducible process yields a standard deviation comparable with that of the CdS base line. In contrast to lab experiments, strong performance gain after light soaking has been observed. The light‐soak‐induced power increase depends on the preparation of the window layer. Accelerated aging tests show high stability of module power. This is confirmed by outdoor testing for 20 months. Copyright © 2017 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
44.
现阶段Au丝作为内引线一直占着键合的主导地位,由于Cu丝具有优良的电性能和价格优势,随着键合技术的发展,以Cu丝代替Au丝作为键合用内引线已经成为必然,封装行业许多厂家正热衷于将原有的Au丝键合设备进行改造,但还存在这样那样的问题。以Au丝键合改为Cu丝键合的技术研究为出发点,首先介绍了键合技术的发展,然后通过工艺调整和设备改造,使得Cu丝作为内引线能够代替Au丝在该设备上使用,同时达到了节约生产成本,节约资金的目的。对改造过程中的气体流量、压力、功率、焊接时间等参数问题进行了详细地阐述,同时对芯片、键合劈刀等也做了相应调整,使得改造后的检测结果完全满足产品要求。大力推进以Cu丝替代Au丝键合技术,可节约生产成本,提高键合强度,增强导电率、导热率等,具有重要的经济技术效益,必将迎来封装业的又一次大变革。  相似文献   
45.
Ti/WSi/Ni contact to n-type SiCN was investigated using the circular transmission line method. Current–voltage characteristics, X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy were used to characterize the contacts before and after annealing. It is shown that the conducting behavior of the contacts is dependent on the annealing temperature. After annealing at 900 ℃ or above, ohmic contacts with specific contact resistivity were achieved. The 1000-℃-annealed contact exhibits the lowest specific contact of 3.07E-5 Ω? cm2. The formation of ohmic contact with low specific contact resistivity was discussed.  相似文献   
46.
在这篇文章中,我们利用原子层沉积(ALD)的方式在硅衬底上生长铂金(反应源是(CH3C5H4Pt(CH3)3)和氧气)。将经过氢氟酸处理和氧气处理的两种类型硅衬底进行生长对比实验来探究衬底表面处理对原子层沉积方式生长铂金薄膜的影响。相对于经氧化处理的硅衬底来说,在氢氟酸处理的硅衬底上淀积铂金薄膜有较长的滞后时间且生长过程不同。此外,即使在原子层沉积铂金薄膜实验之前利用氢氟酸处理硅衬底以去除天然氧化层,淀积实验完成后在铂金和硅衬底界面处仍有一层中间氧化层。文章解释了导致这种差异性的原因。  相似文献   
47.
基于电阻温度系数(TCR)原理及微机电系统技术,设计并制作了一种用于微型聚合酶链式反应(PCR)芯片的Pt温度传感器及其读出电路。利用溅射和剥离技术将厚度为100 nm的弯曲条形Pt传感器制作在硅衬底上。其长度和宽度分别为2 030μm和10μm。设计了基于四线法温度测量的读出电路,该电路主要包括一个恒流源电路和一个电压放大电路。测试结果表明,该传感器的电阻温度系数为1.48×10-3℃-1,其电阻变化随着温度的变化具有良好的线性度,当温度在27~100℃变化时,电阻范围在653.5~716.5Ω变化。在接出一个8位的模数转换器以后,整个传感器和读出电路能确保一个精度为0.2℃的温度控制,满足一般PCR测量需要。  相似文献   
48.
The uneven electrodeposition and inferior corrosion resistance are the fundamental obstacles to achieve stable Zn metal anodes. The features of the electrode surface/interface are closely correlated with the properties. Herein, the Zn surface with more exposed (002)Zn planes is modified through a simple acid-etching approach. The in situ generated zinc compounds form an interface layer with strong adhesion to the Zn electrode, which can enhance the Zn2+ ion kinetics and regulate the deposition/dissolution behaviors. A variety of acids with functional cations are selected, among which the phosphoric acid etches the Zn with a higher extent of texturing and generates a more compact layer. The obtained zinc phosphate@Zn electrode enables stable cycling and fast kinetics in symmetrical and full Zn metal batteries. This study provides a new example of combined surface and interface modification toward high-performance aqueous zinc metal anodes.  相似文献   
49.
Ultraflexible and ultralight rechargeable aqueous Zn-ion batteries (ZIBs) with the merits of environmental benignity and high security arise as promising candidates for flexible electronic systems. Nowadays, the energy density and cyclical stability of ZIBs on metal-based rigid substrates reach a satisfactory level, while the inflexible substrates severely prevent them from widespread commercial adoption in portable electronics. Although flexible substrates-engineered devices burgeon, the development of flexible ZIBs with high specific energy still faces great challenges. Herein, a flexible ultrathin and ultralight Zn micromesh (thickness of 8 µm and areal density of 4.9 mg cm−2) with regularly aligned microholes is fabricated via combining photolithography with electrochemical machining. The unique microholes-engineered Zn micromesh presents excellent flexibility, enhanced mechanical strength, and better wettability. Moreover, numerical simulations in COMSOL and in situ microscopic observation system certify the induced spatial-selection deposition of Zn micromesh. Accordingly, aqueous ZIBs constructed with polyaniline-intercalated vanadium oxide cathode and Zn micromesh anode demonstrate exceptional high-rate capability (67.6% retention with 100 times current density expansion) and cyclical stability (maintaining 87.6% after 1000 cycles at 10.0 A g−1). Furthermore, the assembled pouch cell displays superb flexibility and durability under different scenarios, indicating great prospects in high-energy ZIBs and flexible electronics.  相似文献   
50.
采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0~ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。  相似文献   
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