一种新型的基于开关电容相关双采样的带隙基准电路

A switched capacitor bandgap voltage reference with correlated double sampling structure embedded in a temperature sensor is implemented in a standard 0.35μm CMOS process.Due to the smaller change of the op-amp’s output voltage,this topology is very suitable for low power applications.In addition,errors caused by the finite op-amp gain,input offset voltage,and 1/f noise are eliminated with the correlated double sampling technique.Additionally,two-level process calibration techniques are designed to minimize the process spread. Finally,a method of getting a full period valid reference voltage output is discussed and experimental results are provided to verify the effectiveness of the proposed structure.     

A Switched Opamp-Based Bandpass Filter: Design and Implementation in a 0.35 μm CMOS Technology

A fully differential SC bandpass filter (central frequency, 58 kHz; Q = 15; and voltage gain, 8) based on the switched-opamp approach is designed and implemented in this work. The filter operates from a single 1 V supply voltage and is realized in a 0.35 m CMOS technology. It has been characterized with a sampling frequency of 1 MHz and its power consumption is about 230 W. As a main internal filter component, an appropiate switched opamp was also designed. Its common-mode feedback circuit was implemented by using an error amplifier and sampling of the output common-mode voltage is carried out by applying a DC offset to level shift the common-mode sample. It provides an accurate common-mode output for a wide temperature and supply voltage ranges.     

Blumlein快放电电路传输线电容和储能电容的研制

为减小Blum lein电路中的寄生电阻与电感,自行设计了传输线电容与储能电容,以平行平板电容器结构代替了原来的无感电容与传输线电容的结构,使得电路中寄生电感下降1倍以上,电路性能得到很大改进,满足了S2激光器产生辉光放电的要求.     

110kV某变电站电容式电压互感器的故障分析

通过对110kV某变电站的故障电容式电压互感器进行现场检查、电气试验等,逐步对其进行分析,找出发生缺陷的根本原因。     

多正极混合型超级电容器的研制

通过结构优化组合,采用铝化成箔(Al/Al2O3)极片为正极,活性炭极片(AC/Al)为负极,研制了电压为16V的多正极混合超级电容器。通过增加正极数量,进一步提高能量密度。多项电化学性能测试显示:多正极混合超级电容器具有快速充放电能力,与1000μF铝电解电容器相比,能量密度提高了约9倍,阻抗曲线接近理想电容器,内阻约为0.05?。     

微波功率器件的滤波器测试电路

在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4～8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求.     

基于高端FPGA的IC验证平台的电源完整性(PI)分析

通用的FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程逻辑门阵列)验证平台在运行不同的应用时,其瞬态电流需求是不同的。本文以基于Xilinx公司的Virtex-4系列千万门级的FPGA高端IC验证平台为例,采用Cadence PCB PI(Power Integrity)分析软件,对多种地电平面、电容值、电容的放置位置、电容的类型等进行评估,然后通过修正电容数量和额定值,调整电容的布局以及封装等,达到符合要求的电源-地平面目标阻抗,从而将电源/地平面上的噪声降低到电源的要求范围内。本文提出的电源完整性分析方法,对其他类型的系统板级设计也有一定的指导意义。     

玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能

采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。     

计算两不同平行轴间距柱形电容器电容的保角变换法

介绍了保角变换法,利用保角变换中常用的对数变换和分式变换,分别计算了不同平行轴间距的柱形电容器的电容,并进行了讨论。结果表明,当两轴间距离平方等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,电容器的电容与同轴电容器是等效的;当两轴间距分别为大于内外半径之和,或小于内外半径之差时,两种情况下,两轴间距的平方之和等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,两种电容器的电容等效。     

应用于流水线模数转换器的快速前后台组合数字校正

本文描述了一种用于流水线模数转换器的快速数字校正技术。所提出的数字校正方法利用了前台和后台校正,可以纠正由于MDAC中电容失配和运放有限增益所产生的非线性。在本文的组合校正算法中,提出了新型带有信号平移相关算法的并行数字后台校正技术,它的校正周期非常短。本文的数字校正方法以一个14位100Msps流水线模数转换器为例。本文的数字后台校正通过三种方式达到高速的收敛速度。首先,提出了改进型1.5位流水线子级,目的是在信号通路中注入大幅值的伪随机抖动信号而不产生失码;其次,在校正级输出信号进行相关运算之前先根据校正级的输入信号范围进行平移,从而使相关运算达到高速的收敛速度;最后,前端流水线子级同时进行校正,而不是逐级进行校正,从而降低数字后台校正周期。仿真结果证明组合校正具有快速的启动过程和非常短的后台校正周期。