0.25μm CMOS千兆以太网发送器设计

分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV.     

一种高精度的CMOS带隙基准电压源

设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.     

320×240 Pixels CMOS Digital Image Sensor with Wide Dynamic Range

A 320×240 CMOS image sensor is demonstrated,which is implemented by a standard 0.6 μm 2P2M CMOS process.For reducing the chip area,each 2×2-pixel block shares a sample/hold circuit,analog-to-digital converter and 1-b memory.The 2×2 pixel pitch has an area of 40 μm×40 μm and the fill factor is about 16%.While operating at a low frame rate,the sensor dissipates a very low power by power-management circuit making pixel-level comparators in an idle state.A digital correlated double sampling,which eliminates fixed pattern noise,improves SNR of the sensor, and multiple sampling operations make the sensor have a wide dynamic range.     

MSP-G320240DBCW-211N大规模点阵式LCD与PIC单片机接口技术

介绍了大规模点阵式液晶显示器MSP-G320240DBCW-211N的特点及其与PIC18F6620单片机的接口技术，提出了应用过程中可能遇到的问题和解决方法．给出相关的C程序设计并在研制的智能光电检测仪器上得以成功地应用。     

非透视3点问题的解析解

由于在机器人导航等领域新的图像装置不符合透视规则,无法运用传统的透视位置估计方法,采用吴氏零点分解方法,给出非透视3点问题的解析解.利用新图像装置的几何条件,建立了非透视3点方程系统.     

测井数据实时采集与接口设计

介绍了一种采用改进型的ＣＬＳ３７００数控测井系统对微电阻率扫描仪数据采集与控制接口的设计及实现方法。基于ＣＬＳ３７００数控测井仪和ＦＭＳ仪采用８９Ｃ５１单片机设计出通信接口，解决了微电阻率方法。基于ＣＬＳ３７００数控测井仪和ＦＭＳ仪采用８９Ｃ５１单片机设备出通信接口电路，解决了微电阻主扫描仪现现场实时处理中的瓶颈问题。     

STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

磷－溴双元素阻燃涤纶切片的研制

分析了磷－溴（Ｐ－Ｂｒ）阻燃剂的特性及阻燃机理。应用Ｐ－Ｂｒ阻燃剂进行了阻燃涤纶切片的开发研制试验，结果表明：Ｐ－Ｂｒ阻燃剂阻燃效果好、能高度分散并有良好的热稳定性，其所制阻燃涤纶切片有良好的可纺性。     

多处理器芯片体系结构研究

随着超大规模集成电路工艺和超级计算技术的发展，作者认为在单个芯片内集成多处理器系统将成为可能。本文详细讨论了多处理器芯片的分类和结构，着重阐述了同构型多处理器芯片的主要研究方向，并对同构型多处理器的可行性作出了分析。     

一种3V CMOS音乐集成电路的设计原理

介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设计出一种数字音频程控频率合成器，时钟为ｆ０时，可控频率范围为ｆ０２～ｆ０２Ｎ。