大通量辐照的NTD CZ Si 高温退火行为

本文研究了大通量辐照(1018n/cm2)的NTD CZ在750-1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的中照施主,最高可达到1016cm-3。只有在高于1100℃退火才能获得准确的目标电阻率.探讨了大通量辐照NTD CZ Si的退火工艺,中照施主的形成及其消除条件。     

NTDCZSi中辐照施主的研究

本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的施主平台现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生～20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。     

勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟

采用低雷诺数Ｋ-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0.12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semiimplicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．     

LY11CZ 铝合金疲劳裂纹扩展实验研究

使用ＬＹ１１ＣＺ铝合金板材的中心裂纹拉伸试件，在不同应力水平及应力比下，对疲劳裂纹扩展速率进行了试验研究和分析，并给出了该材料估算裂纹扩展速率的经验公式。     

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失，文章进一步研究了氮－新施主的形成和消除与热处理条件的关系，并对这些实验结果进行了探讨。     

Analysis of modal acoustic emission signals of LY12CZ aluminum alloy at anodic and cathodic polarization

Modal acoustic emission technique was used to analyze corrosion signals produced by polarization corrosion of LY12CZ aluminum alloy. The results showed that there were two-type waveforms for both anodic and cathodic polarization. Only extensional signals appeared within 1800 s, but extensional and flexural signals both appeared beyond 1800 s. The frequency spectrums were presented and analyzed, and potential source identification was discussed.     

半导体设备中铝合金精密零件尺寸稳定性工艺研究

通过对半导体设备中LY12铝合金类高精度、薄壁零件的尺寸稳定性研究,分析了影响零件尺寸稳定性的因素,选取了一道人工时效处理和三道各循环三次的冷热循环稳定处理工艺方案,使整个零组件从加工、装配、产品测试到库存,再到成品试验的自然时效时间内,原加工精度经过再次复测,没有发生变化。     

平头压痕蠕变的试验和数值研究

通过对LY12CZ的平头压痕蠕变和单轴拉伸蠕变行为的比较,主要研究工程材料LY12CZ的压痕蠕变行为.首先对压痕蠕变试验和单轴蠕变试验进行研究,通过试验得出材料蠕变参数及其压痕蠕变参数.其次,通过有限元(finite element method,FEM)分析对压痕蠕变进行模拟,也得出材料的压痕蠕变参数,以上都得出相同温度下由压痕蠕变试验和单轴拉伸蠕变试验得出的应力指数是相等的结论,同时利用转化因子验证压痕蠕变试验和单轴蠕变试验的一致性和等效性,从而证实由压痕蠕变试验描述蠕变是合适的,并且能够确定材料的蠕变参数.     

硫化促进剂CZ合成方法进展

介绍了目前国内外硫化促进剂 N 环已基 2苯并噻唑次磺酰胺 ( CZ)的四种合成方法 ,并进行了比较 ,认为氧气氧化法合成硫化促进剂 CZ是目前较佳工艺     

TIG焊工艺参数对LY12CZ接头性能的影响

针对LY12铝合金焊接接头强度下降的问题，采用交流TIG焊方法，通过试验改变TIG焊工艺参数，并测试其抗拉强度和硬度，研究焊接工艺与接头强度之间的关系。