早熟高产优质多抗糖果兼用蔗新品种川蔗23号的选育

在61点(次)省级区域和生产试验中，川蔗23号的平均出苗率为66．67％；宿根发株数为181545株／hm^2；平均分蘖率为115．32％；平均株高为257cm；平均茎径为2．94cm；平均有效茎为85035株／hm^2；平均单株重为1．7752kg／株；平均单产为150855kg／hm^2，比川蔗13号高28725kg／hm^2，增产23．52％；平均田间锤度19．81％，比对照种高2．21％(绝对值)；平均甘蔗蔗糖分为14．07％，比川蔗13号高1．72％(绝对值)；甘蔗含糖量平均达21369．15kg／hm^2，比川蔗13号高41．30％。在22点(次)全国甘蔗品种区域试验中，川糖89—103的平均出苗率是66．88％；分蘖率为114．14％，株高为269cm；茎径为2．81cm；有效茎是69798株／hm^2，单株重是1．6290kg／株，新植宿根平均单产是115495kg／hm^2，比全国统一对照种ROC10增产18．53％；平均甘蔗蔗糖分为14．49％，比ROC10高0．39％(绝对值)；甘蔗含糖量为16209kg／hm62，比ROC10高18．40％。川蔗23号高抗黑穗病和花叶病，不感眼点病、黄斑病和褐条病等，对螟虫、蚜虫外的害虫有很强的抗性。川蔗23号商品性状优良，纤维含量低，出汁率高，蔗汁蔗糖分高，蔗茎表面光滑美观给人良好感觉。表明川蔗23号是一个农艺性状、产量性状和工艺性状及商品性状都很优秀的糖果兼用蔗品种。     

N－环已基－2－苯并噻唑次磺酰胺的合成

讨论了用过氧化氢作氧化剂合成Ｎ－环已基－２－苯并噻唑次磺酰胺。研究了原料配比、反应时间、反应温度等对收率的影响，给出了最佳合成工艺条件。     

直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨

在直拉法硅单晶生长过程中,由于位错的产生经常会导致硅棒发生断棱与掉苞现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率.为了分析该现象,借助于位错形成的理论,探讨了Φ203mm(100)硅棒发生断棱与掉苞的具体原因及应对措施.影响直拉法单晶硅棒发生断棱与掉苞的因素包括:熔体中过多的杂质,热场、机械传动装置及炉体的不稳定等.     

高产优质多抗果蔗新品种川蔗26号选育研究报告

12点(次)省区试和生产试验结果表明,川蔗26号的平均出苗率为41.94%,比对照(华南54-11)高2.27%;平均分蘖率为66.13%,比对照高4.46%;平均株高为256 cm,比对照高20 cm;平均茎径为3.17 cm,比对照大0.20 cm;平均有效茎为61545株/hm2,比对照多7605株/hm2;平均单株重达2.0181kg/株,比对照重0.3783 kg/株;平均甘蔗单产达125400 kg/hm2,比对照高35970 kg/hm2,增产40.22%;平均蔗汁抽出率为79.29%,比对照高1.04%;平均蔗汁蔗糖分为13.15%,比对照高0.53%,故其清爽甘甜而令消费者喜爱;平均甘蔗纤维分为6.90%,比对照低0.18%,故其蔗茎松软泡脆;还原糖与对照种相当;其茎色紫红,蔗茎粗大,故其卖相好而市场竞争力很强;平均田间锤度为16.87%,比对照高0.58%;甘蔗蔗糖分平均为12.20%,比对照高0.27%:甘蔗含糖量平均达14910 kg/hm2,比对照多4875 kg/hm2,增产48.58%;抗倒性极强,抗旱性较强,高抗甘蔗黑穗病,还抗甘蔗褐条病及甘蔗花叶病,轻感甘蔗梢腐病;较抗甘蔗二点螟等甘蔗害虫;抗寒性较差;宿根性较差。所以,川蔗26号是一个农艺、产量、商品和工艺等多数性状优良的高产、优质、具有多种抗性、品质与Badila接近的优良果蔗品种。     

硫化促进剂CZ合成方法进展

介绍了目前国内外硫化促进剂 N 环已基 2苯并噻唑次磺酰胺 ( CZ)的四种合成方法 ,并进行了比较 ,认为氧气氧化法合成硫化促进剂 CZ是目前较佳工艺     

模拟某机场大气环境下LY12CZ铝合金的腐蚀行为及其当量关系的建立

    通过模拟某机场较严酷的自然环境,对LY12CZ铝合金进行试验室加速腐蚀,研究其不同阶段的腐蚀损伤行为和最大腐蚀深度的变化规律,并采用腐蚀程度对比法确定该机场环境下LY12CZ和试验室模拟环境下的当量加速关系,为预测飞机结构的腐蚀、确定日历寿命和制定修理周期提供可靠的依据.     

陈化体系中醇对Ce0.65Zr0.35O2及其负载的单Pd催化剂性能的影响

采用共沉淀法制备了Ce_0.65Zr_0.35O₂(CZ)储氧材料, 分别以乙醇-水、丙醇-水、乙二醇-水、丙三醇-水体系对沉淀物进行陈化, 研究了醇的种类对CZ及其负载的单Pd催化剂性能的影响。对CZ进行了扫描电镜(SEM), N₂-吸脱附分析, 对Pd/CZ进行了粉末X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、储氧量 (OSC)和程序升温还原( H₂-TPR)的表征, 并考察了三效催化性能。结果表明, 醇的种类对CZ及Pd/CZ的性能有显著影响。在乙醇-水和丙醇-水陈化体系中制备的CZ分散性高, 颗粒堆积松散, 比表面积和孔径大, 孔容高, 且具有优异的热稳定性, 其中丙醇-水陈化体系中制备的CZ老化后比表面积和孔容分别可达28 m²/g和0.1 mL/g, 具有最高的热稳定性, 其负载的单Pd催化剂在老化后对C₃H₈、CO和NO转化显著优于乙二醇-水和丙三醇-水陈化体系中制备的CZ所制备的催化剂。     

高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.     

NTDCZSi中辐照施主的研究

本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的施主平台现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生～20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。     

Analysis of impurity concentration distributions in pulled semiconductor crystals

InSb and GaSb single crystals were grown by the Czochralski method. The impurity concentration distribution in the melt and crystal was investigated experimentally and computationally as a function of the interface segregation coefficient, the shape of the solid-liquid interface and the growth rate. It was found that the impurity concentration distribution in the melt was largely influenced by the interface segregation coefficient; the impurity concentration in the crystal increased as the shape of the solid-liquid interface became more planar and also as the growth rate increased; the impurity concentration was more markedly influenced by the growth rate than by the shape of the solid-liquid interface. When the growth rate was large, the impurity concentration increased and the shape of the solid-liquid interface was concave toward the melt near the crystal periphery. When the growth rate was small, the impurity concentration decreased and the shape of the solid-liquid interface was convex toward the melt.