刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

热物理性质测试技术研究现状和发展趋势

本文在对热物理性质研究在热能工程、材料科学、信息科学、航天工程、环境工程、生物科学、微电子技术和计量学等众多科技领域中的重要性进行探讨的基础上，评述了热物理性质测试技术的研究现状和发展趋势。鉴于薄膜材料在微电子器件、集成电路和微电子机械系统等领域中日益广泛的应用，本文还综述了亚微米－纳米尺度薄膜材料热导率和热扩散率的测试新技术。     

高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。     

巴斯夫公司举办“2006薄膜级聚酰胺专题研讨会”

巴斯夫公司日前在上海科技馆举办“2006巴斯夫薄膜级聚酰胺专题研讨会”。     

源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响

以高纯石墨作靶，CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜。拉曼光谱表明，CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I（D）/I（G）减小，晶粒增大，芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论，指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

谈防伪包装设计

随着防伪技术的发展和用户对包装防伪要求的日益高涨,防伪包装成为包装企业和包装使用者谈论得越来越多的话题。市场需求刺激了包装防伪的技术进步,也使包装制作企业不断开发新产品来满足这种企业包装个性化的要求。 防伪包装从最初的“贴膏药”(加贴防伪标识)的方式正在向包装材料本身和包装设计防伪印刷转变。目前的包装防伪主要有: 1.包装盒上加贴防伪标签:如激光全息防伪标识,荧光防伪标识,热敏防伪标识,电话防伪编码标识等等,几乎所有具有防伪功能的标识标签均在包装上有所应用; 2.包装盒上加贴防伪防揭封条/封口:如国内特快专递EMS的