全文获取类型
收费全文 | 79888篇 |
免费 | 7204篇 |
国内免费 | 4251篇 |
专业分类
电工技术 | 3140篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 6288篇 |
化学工业 | 15137篇 |
金属工艺 | 6978篇 |
机械仪表 | 6793篇 |
建筑科学 | 4868篇 |
矿业工程 | 2471篇 |
能源动力 | 2840篇 |
轻工业 | 8857篇 |
水利工程 | 2115篇 |
石油天然气 | 2221篇 |
武器工业 | 676篇 |
无线电 | 6795篇 |
一般工业技术 | 11719篇 |
冶金工业 | 2886篇 |
原子能技术 | 818篇 |
自动化技术 | 6740篇 |
出版年
2024年 | 399篇 |
2023年 | 1355篇 |
2022年 | 1874篇 |
2021年 | 2303篇 |
2020年 | 2600篇 |
2019年 | 2388篇 |
2018年 | 2385篇 |
2017年 | 2796篇 |
2016年 | 2791篇 |
2015年 | 2936篇 |
2014年 | 4325篇 |
2013年 | 5178篇 |
2012年 | 5303篇 |
2011年 | 6160篇 |
2010年 | 4345篇 |
2009年 | 4475篇 |
2008年 | 4228篇 |
2007年 | 5012篇 |
2006年 | 4612篇 |
2005年 | 3846篇 |
2004年 | 3360篇 |
2003年 | 2927篇 |
2002年 | 2625篇 |
2001年 | 2112篇 |
2000年 | 1883篇 |
1999年 | 1559篇 |
1998年 | 1250篇 |
1997年 | 1115篇 |
1996年 | 960篇 |
1995年 | 748篇 |
1994年 | 646篇 |
1993年 | 559篇 |
1992年 | 443篇 |
1991年 | 313篇 |
1990年 | 322篇 |
1989年 | 229篇 |
1988年 | 217篇 |
1987年 | 113篇 |
1986年 | 131篇 |
1985年 | 98篇 |
1984年 | 92篇 |
1983年 | 68篇 |
1982年 | 71篇 |
1981年 | 38篇 |
1980年 | 36篇 |
1979年 | 32篇 |
1978年 | 8篇 |
1977年 | 8篇 |
1975年 | 8篇 |
1959年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
In this article, we study a linear array of bowtie nanoantennas placed between two metallic strips that can work from 800 to 1420 nm (600 nm linewidth), with an electric field enhancement factor close to 20. We study the dynamical change of the position of the electric field enhancement amongst different elements in the array and, at the same time, the effects of dispersion on the scalability of the array elements. A systematic analysis and methodology to produce an array that can operate over a large bandwidth whilst maintaining the electric field enhancement without significant variation is provided. 相似文献
52.
1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances. 相似文献
53.
An optoelectronic method is considered for noncontacting reconstruction of the surface profile of three-dimensional objects of large dimensions. The optimal conditions for performing measurements are identified. It is shown that the proposed method, in contrast to the already known methods, does not require fine tuning of the equipment. A numerical method is given for compensating distortions caused by aberrations. A method is described for reconstructing the surface profile cell by cell which increases the accuracy of measurements. 相似文献
54.
55.
BaTiO3基Au纳米颗粒复合薄膜的制备及其光学性质研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,成功的将高体积面分比的Au纳米颗粒复合到BaTiO3的非晶薄膜中,并对其光学性质进行了研究。用XRD、TEM、椭偏仪、吸收光谱、光克尔效应OKE(Optical Kerr Effcet)方法对薄膜进行了表征和测试。从吸收光谱观察到表面等离子体共振SPR(Surface Plasma Resonance)峰随热处理温度升高而红移的现象。光学非线性测试表明薄膜具有高的三阶非线性极化率Χ^(3)和超快的响应时间。 相似文献
56.
Edible film from water-soluble fish proteins were developed by casting film solution on leveled trays and effects of pH (9.5, 10.0 and 10.5), heating temperature (60, 70 and 80 °C), and heating time (10, 20 and 30 min) of the film solution on various film properties were determined using Response Surface Methodology (RSM). The impact of pH and heating temperature of film solution was more significant, overall, on the film's properties than heating time. Contour plots of tensile strength and elongation at break was highest at pH of 10.0 at 70 °C (2.75-3.02 MPa) but low in elongation at break (6.35-9.16%), while water vapor permeability and oxygen permeability were at their lowest (58.55-65.96 g mm/m2 d kPa and 351.33-624.18 cm3 μm/m2 d kPa). There was a direct correlation between the films’ and proteins’ solubility on one hand, and heating temperature of film solution on the other, which reversed with change in pH of film solution. Film color was darker and more yellowish with increase in the pH of film solution. 相似文献
57.
58.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
59.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
60.
进入21世纪,随着集成电路的发展,SoC(System on Chip)片上系统应运而生。而作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器,在SoC中所占的比重正逐步增加,并起着越来越重要的作用,那么嵌入式存储器与独立的存储器芯片在设计上存在着哪些差异?对此本文将以NOR型闪存为例在制造工艺的选取、衍生产品的设计、功耗与噪声、后端功能仿真、测试与修复等方面进行分析和研究。 相似文献