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31.
I. Matei  A.V. Pop 《Thin solid films》2010,519(2):591-594
Thin film Bi2Sr2 − xLaxCuOy (x = 0.6) was deposited onto SrTiO3 by using DC magnetron sputtering. The structural characterization was carried by X-ray diffraction and the transport properties were carried by resistivity and Hall Effect measurements. The underdoped system near superconductor-insulator transition (SIT) was performed by partial substitution of Sr with x = 0.6 La. By varying the oxygen content in very small amounts through a vacuum anneal process, a highly precise hole-doping of thin film was obtained and the same film is changed from initial superconducting state to strongly insulating underdoped state. More than 14 doping states in the vicinity of SIT were performed and studied by electrical resistivity as function of temperature. The thermally activated behavior, log (1/T) behavior or electrical resistivity and VRH localization processes were evidenced function of doping and temperature.  相似文献   
32.
采用脲、硼酸、硝酸铁、硝酸钴分别作为N、B、Fe、Co源,与GO(氧化石墨烯)通过快速冷冻干燥与热解法,制得了三维石墨烯基B-N-Fe/Co-G催化材料,并对其结构和性能进行了测试和表征,研究其氧还原的活性物质与活性点。透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)及X射线光电子能谱(XPS)结果显示,所制得掺杂石墨烯表面褶皱呈三维孔洞结构,掺杂原子N、B、Fe、Co均匀掺杂于石墨烯中。通过循环伏安法(CV)、线性扫描伏安法(LSV)等手段对三维石墨烯基B-N-Fe/Co-G催化材料进行电化学性能测试,结果表明:B-N-Fe/Co-G在0.1 mol/L的 KOH碱性电解质中有较高的氧还原(ORR)催化活性,起始电位在1.0 V左右,为4电子转移,相比质量分数20%的商用Pt/C催化剂有更好的电化学稳定性。  相似文献   
33.
The development of cost‐effective and flexible electrodes is demanding in the field of energy storage. Herein, flexible FexOy/nitrogen‐doped carbon films (FexOy/NC‐MOG) are prepared by facile electrospinning of Fe‐based metal–organic gels (MOGs) followed by high‐temperature carbonization. This approach allows the even mixing of fragile coordination polymers with polyacrylonitrile into flexible films while reserving the structural characteristics of coordination polymers. After thermal treatment, FexOy/NC‐MOG films possess uniformly distributed FexOy nanoparticles and larger accessible surface areas than traditional FexOy‐NC films without MOG. Taking advantage of the unique structure, FexOy/NC‐MOG exhibits a superior rate performance (449.8 mA h g?1 at 5000 mA g–1) and long cycle life (629.3 mA h g–1 after 500 cycles at 1000 mA g–1) when used as additive‐free anodes in lithium‐ion batteries.  相似文献   
34.
35.
在自由空间光通信系统中 ,由于中继距离的不确定性 ,相应的链路传输损耗也不同 ,因而各中继器有不同的增益。针对自由空间光通信的这一特点 ,介绍了一种解决方法 ,即采用具有自动增益控制 ( AGC)的光放大器作为中继器 ,并分析噪声累积对系统性能的影响。结果表明 ,采用掺铒光纤放大器可以得到好的系统性能  相似文献   
36.
采用电化学沉积法在酸性电解液中制备n型Cu2O薄膜,并对其进行Cl掺杂,制备Cu2O-Cl结构.然后利用连续离子吸附法在样品薄膜上复合PbS量子点.通过SEM和UV-vis对样品进行表征,并对样品的光电化学性能进行了测试.结果表明,未掺杂的Cu2O对PbS量子点的吸附能力较强一些,经PbS敏化后的样品在太阳光谱的吸收拓展到了近红外区,PbS/Cu2O和PbS/Cu2O-Cl复合结构的光电化学性能均有所增加,尤其是短路电流密度.PbS复合后的样品转换效率最高仅为0.67%,主要原因是两者能级的不匹配,形成异质结时引入界面态,得不到理想的转换效率.  相似文献   
37.
利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。  相似文献   
38.
Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)是一种新型的自倍频晶体.利用氙灯作泵浦源,对单掺的Nd∶GdCOB和双掺的Cr∶Nd∶GdCOB两种自倍频晶体实现了1061nm~530.5nm自由运转的自倍频转换.单掺和双掺晶体的泵浦阈值能量分别为1.0J和0.92J,自倍频光的最大输出能量分别为1.96mJ和2.46mJ.利用脉冲染料激光作泵浦源,对Nd∶GdCOB晶体获得了1331nm基频光和655nm自倍频红光运转,并获得了530.5nm自倍频绿光输出.  相似文献   
39.
用提拉法生长了质量较高的Al∶Bi12SiO20和Cr∶Bi12SiO20(简称Al∶BSO和Cr∶BSO)晶体,测定了掺杂BSO晶体的吸收光谱。首次发现:Al∶BSO(摩尔比)为0.1%的晶体的透过率(80%)远高于纯BSO晶体的透过率(70%);Cr∶BSO晶体中除Cr3+外,还存在少量Cr4+  相似文献   
40.
Reliability of polyoxide grown by electron cyclotron resonance (ECR) N2O-plasma on heavily phosphorus-doped polysilicon has been investigated for the interpoly dielectrics (IPDs) of nonvolatile memories (NVMs). ECR N2O-plasma polyoxide grown on polysilicon with phosphorus of 1 × 1021 cm−3 exhibits a significantly high breakdown field of 10 MV/cm and low electron trapping rate of 0.5 V, which are regardless of phosphorus concentration. The improvements are attributed to the smooth polyoxide/polysilicon interface, low phosphorus concentration, and nitrogen-rich layer with strong silicon-nitrogen bonds at the polyoxide/polysilicon interface.  相似文献   
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