动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力.为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力.施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线.研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小.随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因.     

砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制

基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成.芯片可输入六位串行或并行数据,输出六对互补电平以控制开关、衰减器等砷化镓微波单片集成电路(MMIC).测试结果表明,在5V工作电压下芯片的静态电流为7.6mA,并行输出高电平4.8V,低电平0.1V,传输延迟时间125 ns.驱动器芯片尺寸为2.5 mm×1.45 mm.该电路具有响应速度快、易与砷化镓MMIC集成等特点,可广泛应用于各类多功能电路、组件及模块中.     

高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3 O12 (BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管.晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流I.n=25 μA,场效应迁移率μsat=0.3 cm2·V-1·s-1.BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因.     

煤矿井下异构无线 Mes h感知网络融合研究

在综合分析各感知网络和以太网网络特点及其异构性的基础上,提出了分层的异构网络融合网关结构模型,设计了网间通信统一的数据包格式和全网统一的地址编码方式．具有多切换接口的M esh终端,能够根据自动切换管理技术智能地接入不同网络．网关实现了基于802．11、802．15和802．3等协议的语音业务、视频图像业务以及数据传输业务在不同网络间的无障碍通信,网关的双向通信功能,使其连通的两端网络以对等方式通信,最终实现了井下全网互联互通．     

有机体异质结太阳能电池的数值模拟

引入了一种可以直观展现出聚合物体异质结太阳能电池的伏安特性的数值模型,该模型是由双分子复合以及温度和电场效应下自由载流子产生的机制。这个在聚合物材料中的到很好的体现,该材料中空间电荷效应只起到微弱的作用,从而在模型中形成相对恒定的电场。此外,在短路条件下只有7%的自由载流子由于双分子复合而消失。该模型证明在PPV/PCBM太阳能电池中随着空穴迁移率的增加和减少受体0.5电子伏特将得到5.5%最高转换效率。     

Modeling of dipole–dipole‐coupled,electric field‐driven,protein‐based computing architectures

In the present study, we propose a novel approach for the realization of protein‐based logic circuits potentially suitable for nanoscale digital signal processing and computing architectures. Electric field‐induced switching of Dronpa, an artificial protein, is demonstrated through simulations with the NAMD molecular dynamics simulation software, and a circuit model that describes such switching behavior is presented. Simulations suggest that digital signal propagation and the majority gate can be realized by the utilization of such proteins if they are dipole–dipole coupled and are driven by proper electric fields. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.     

Ar气中1维等离子体射流阵列的实验研究

为获得大面积射流等离子体,建立了大气压Ar气中1维等离子体射流阵列产生装置。通过电压电流波形、发光图像以及发射光谱等手段诊断了其放电特性,研究了外加电压幅值、气体流速和电源频率等对射流阵列产生的影响,得到了阵列最优工作条件,并获得此条件下阵列的放电功率和传输电荷和活性粒子等参数,进而分析了放电的排斥和耦合机制。发光图像拍摄的结果表明:外加电压幅值为8.5 k V,气体体积流量为20 L/min,电源频率20 k Hz时,射流阵列等离子体喷出管口最长,各管间排斥作用和耦合作用最小,放电最强烈,此时放电功率为101.85 W,传输电荷为1 716 n C。阵列中各管间彼此存在Coulomb力和Lorentz力,出现一定偏移是这2个力综合作用的结果。     

邻位取代苝酰亚胺衍生物的合成及其电子迁移率的研究

以N,N'-二(3-戊胺)苝酰亚胺为底物,分别经过Ir催化剂直接催化邻位C—H的硼酸酯化和取代反应得到了2,5,8,11位含氯和含溴的苝酰亚胺衍生物Ⅲ和Ⅳ,利用1HNMR、13CNMR和HRMS对产物进行了表征。通过在苝酰亚胺的邻位引入卤原子后,相对于化合物Ⅰ,化合物Ⅲ和Ⅳ吸收光谱和荧光光谱均发生了蓝移;LUMO能级明显降低,分别为-4.18 eV和-4.16 eV。邻位引入卤原子后化合物Ⅲ和Ⅳ仍然具有良好的热稳定性,其失重5%时的温度(T d)均大于370℃。利用空间电荷限制电流(SCLC)法测试了它们的电子迁移率,发现卤原子的引入使分子间排列更加有序,其中化合物Ⅲ的迁移率最高,可以达到3.05×10-4cm2·V-1·s-1。     

新车型生产准备中滑橇通过性改造

主要以描述和举例为主,对新车型在现有涂装生产线的滑橇通过性改造流程和内容进行阐述。