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991.
本文描述最近引入的新的多功能有源器件—线性变换运算电流放大器的基本性质以及它在电流处理电路中的应用.  相似文献   
992.
一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18μm模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃~125℃范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,电路的读取时间是33ns。  相似文献   
993.
林谷  石秉学 《电子学报》1999,27(5):69-72
本文提出了一种新的可扩展电流型排序电路。该电路在功能上,不权可以将输入电路按大小顺序输出,而且还可以确定输出电流相应的输入端。该电路的埯序时间和面积复杂度仅为O(N),N为待排序电流输入端数。在结构上,该电路简单、灵活,芯片之间可以扩展。由于该电路完全同数字CMOS工艺相兼容,易于赵大规模集成电路制作。  相似文献   
994.
基于BiCMOS技术设计的CS/VR电路   总被引:21,自引:5,他引:21  
运用双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)的先进技术,设计了几个实用的电流源/基准电压源(CS/VR)电路,并籍助于通用电路模拟软件PSpice3.00,对它们进行了仿真研究。  相似文献   
995.
SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。  相似文献   
996.
张万鹏 《半导体技术》1998,23(1):19-20,24
提出了一种新型的CMOS电流转换电路的设计方法。该电路功耗小,并且具有良好的电压和电流转换特性,其改进电路具有良好的静态电流控制特性,对工艺参数依赖性较低,适用于以电流模式工艺的烽模混合电路。  相似文献   
997.
本文提出了以电流传输器CCⅡ±为基本电路元件的电流模式全集成MOSFET-C精确连续时间四阶带通滤波器电路,并应用PSPICE-Ⅱ通用模拟电路程序,对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析,得出了实用的结论。  相似文献   
998.
单CCⅡ电流模式滤波器   总被引:1,自引:5,他引:1  
报道了基于单CCⅡ(第二代电流传输器)的电流模式滤波器电路。该电路仅由一个CCⅡ及几个无源RC元件构成,能实现一阶低、高通,二阶低、带、高通滤波器。与同类电路[5.6]比较,该电路结构简单,接地RC元件较多,便于集成。还分析了无源和有源灵敏度,并给出了实验的结果。  相似文献   
999.
Two oscillator topologies each employing a single differential voltage complementary current conveyor (DVCCC) are presented. The first oscillator uses a single active element, five passive components, grounded capacitors, has independent control of frequency and condition of oscillation. It has a current mode output and can be extended to provide a voltage mode output. It combines all the features of the current state-of-art oscillators. The second oscillator uses a single DVCCC, four passive elements, grounded capacitors and provides independent control of frequency. This oscillator not only has all the desired oscillator features, but requires lesser passive components. Theoretical analysis of these oscillators was verified with SPICE simulations.  相似文献   
1000.
The following cases of hydrogen influence on pipeline metal were considered: gaseous hydrogen under internal pressure in notched pipes and electrochemically generated hydrogen on external pipe surface from soil aqueous environment. The burst tests of externally notched pipes under pressure of hydrogen and natural gas (methane) were carried out after the pipe has been exposed to a constant “holding” pressure. It has been shown that even for relatively “soft” test conditions (holding pressure p = 20 bar and ambient temperature) the gaseous hydrogen is able to penetrate into near surface layers of metal and to change the mechanism of local fracture at notch. The sensitivity to hydrogenating of given steel in deoxygenated, near-neutral pH NS4 solution under soft cathodic polarisation was studied and the assessment local strength at notches in pipeline has been made for this conditions. Here, the relationship between hydrogen concentration and failure loading has been found. The existence of some critical hydrogen concentration, which causes the significant loss of local fracture resistance of material, was also shown.  相似文献   
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