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基于电子设备的处理器系统设计人员经常在选择最佳电源架构时遇到困难。有时最佳的解决方案是插入式电源,而有时采用分立的元件组成的电源才是最佳解决方案。选择插入式电源解决方案相对来说比较直接,但对于缺乏电源设计经验的数字设计人员来说,设计一个分立电源解决方案可能会使他望而却步。大多 DC/DC 电源控制 IC 供应商均可提供有助于电路设计的详细辅助材料。但是,在开始电源设计之前,设计人员必须选择正确的拓扑。本文将介绍以下方法,来帮助为某些用于MCU、DSP及基于FPGA 的电子产品的最常用结构选择正确的电源拓扑。线性调节… 相似文献
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本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献
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The amorphous/polycrystalline Si3N4/CrN nancrstructured multilayer films have been prepared by radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The composition, microstructure and mechanical properties of these films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and nano-indentation. The CrN and Si3N4 single layer films are polycrystalline face centered-cubic and amorphous structures, respectively. The CrN and Si3N4 layers are nearly stoichiometric. The HRTEM image indicates that the interfaces are planar and modulation structure is clear in multilayers. The hardness values of Si3N4/CrN multilayers are between those of the constituent CrN and Si3N4 films at a substrate temperature of 20℃, and are somewhat higher than those of Si3N4 films at a deposition temperature of 500℃. There is no superhardness effect in the Si3N4/CrN multilayers. Based on the experimental results, the hardening mechanisms in the multilayers have been discussed. 相似文献
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本文介绍了由单片机组成的可控硅磁控溅射靶极电源自组织模糊控制系统,给出了主要硬件电路,对软件功能进行了说明,尤其对自组织模糊控制算法作了较为详细的论述。该系统动态特性良好,抗干扰能力强,有自组织、自学习和系统辩识的能力。 相似文献
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本文介绍的电源具有下垂特性的电流,电压负反馈双闭环系统,采用P-I调节,使电源系统具有良好的动态特性。引入了电流截止负反馈,解决靶极辉光放电问题。该电源与负载匹配能力强、体积小、集成度高、抗干扰能力强、调节方便。 相似文献
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磁控溅射WO3薄膜特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍. 相似文献