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采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,结晶度提高.光致发光谱的测量显示,经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光,随着温度的增加紫峰变尖锐且强度大大提高,并有590nm的黄发光峰出现.紫峰的增强是由于薄膜结晶度提高导致激子复合增加的结果,黄峰是由于Ge颗粒引起的局域态相关的跃迁而产生的. 相似文献
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叙述了用双靶直流磁控溅射仪制备Y1-xDyxBa2Cu3O7-δ(x=0.03,0.05)超导薄膜的工艺,按其工艺的薄膜Tc均大于88K,随着x值增加,Jc有上升趋势,XRD,SEM的结果表明镝掺杂膜有很好的c轴取向,讨论了高温超导体钉扎机制。 相似文献
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初秋的北京,令人难耐的暑气日渐消退,人们开始迎来秋高气爽的收获季节。9月3日,与第八届中国国际电源展览会同期举办的“DC/DC模块电源技术专题研讨会”在北京国际会议中心隆重拉开帷幕。令人欣慰的是,在主办单位《今日电子》杂志社、协办单位中国电源学会、中国电源学会直流电源专委会及北京电源行业协会的共同努力下,首届研讨会即取得了圆满成功,可以说大大超出了主办者的预期,就连电源业内的资深人士也说,如此规模的研讨会令人难以想象。 相似文献
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