TOPSwitch集成电路在DC/DC电源设计中的应用

文章介绍了PWM／MOSFET二合一的TOPSwitch系列集成电路及其在DC／DC电源设计中的应用，还介绍了基本反馈方式的DC／DC拓扑结构及其改进措施，并对由TOPSwitch集成电路构成的DC／DC电源进行了抗中子实验。     

掺锡氧化铟膜在二次表面镜上的应用

掺锡氧化铟膜(ITO 膜)是一种具有良好导电性能,在太阳光谱区有很高光学透过率和抗辐照的涂层,它还具有硬度高、耐磨损等特点;这种涂层在航天器上已有很广泛的应用。我们采用磁控溅射新工艺,将 ITO 膜用作为二次表面镜(SSM)前表面的抗静电防护层。给出 SSM 用 ITO 膜的制备工艺及其对膜的光、电性能的影响,还给出 ITO 膜对 SSM 光(热学性能影响的研究结果,提出了 SSM 用 ITO 膜的设计要求和相关的制备工艺。     

卡片机的大师梦（三）全景照片

全景照片让人看上去感觉很广阔，气垫宏大，能给人留下非常深的印象，部分DC有这种拍摄模式，但更多的卡片机却没有这种功能，想要这样的全景照吗？请看本文。     

如何使转换器不再需要散热器

本文探讨为何以同步整流器为基础的DC／DC转换器不带散热器还比传统的以肖特基二极管为基础的转换器带散热器能产生更多有用的输出功率。文章首先分析当DC／DC转换器的散热器被拆除后会损失多少“散热”能力。然后阐述较之低效率的传统转换器而言，以同步整流器为基础的转换器需要散发的热量少了多少。最后，文章比较两种转换器的功率降额曲线(derating curves)，以说明同步整流转换器因为高效率的所得胜过因为拆除散热器而受到的损失。     

热氧化磁控溅射金属锌膜合成一维ZnO纳米棒

利用退火热氧化射频磁控溅射金属锌膜的方法在Si(111)衬底上制备了一维Zn O纳米棒,同时用多种测试手段对样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD,SEM和TEM的测试结果表明,Zn O纳米棒为单晶相六方纤锌矿结构,呈头簪状向外发散生长,直径在30～60 nm左右,其长度可达几μm.PL 谱测试结果表明:在波长为280 nm光的激发下,在372 nm处有强的近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射.说明合成的一维Zn O纳米棒的结晶质量和光学性能优良     

爱立信：产能增加，新品迭出

Patrick Le Fevre先生亚太区电源模块高级经理马国伟先生介绍新产品记者在上海期间参观了爱立信新迁入的工厂——爱立信-新泰电子有限公司，并采访了电源模块市场总监PatrickLe Fevre先生，他表示：“迁入新厂使在中国电源模块的产量增加了一倍，是我们接近客户策略的延续。因为许多客户已将其大部分的生产转移到中国，我们希望能够提供灵活方便的本地服务。我们生产能力的增加还将确保在未来几年内，随着3G网络的部署，更好地响应中国市场快速增长的需求。此外，它还将使我们能够快速地推出新产品。”据介绍，上海工厂现有120名员工，生…     

磁控溅射沉积的Ge/ZnO复合多层膜的光致发光特性研究

采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,结晶度提高.光致发光谱的测量显示,经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光,随着温度的增加紫峰变尖锐且强度大大提高,并有590nm的黄发光峰出现.紫峰的增强是由于薄膜结晶度提高导致激子复合增加的结果,黄峰是由于Ge颗粒引起的局域态相关的跃迁而产生的.     

电话防盗报警器

详细介绍了电话通讯技术以及安全报警技术的应用，二者如何有效地结合起来形成综合联网报警系统。分析了HT9200A和MT8870DC的电路结构，及与AT89C51的接口电路。