6H-SiC Schottky二极管的正向特性

提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的Si C Schottky二极管( SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于Si C外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高.该模型能够对不同温度下Si C Schottky结正向特性很好地进行模拟,模拟结果和测量数据相符.它更适用于考虑器件温度变化的场合,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系.     

Enhanced thermal stability of a sputtered titanium-nitride film as a diffusion barrier for capacitor-bottom electrodes

The effect of a thin RuO_x layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuO_x/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuO_x layer at the RuO_x surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuO_x layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuO_x layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO₂-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system.     

HART协议物理层设备的测试（II）

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

ONT传输会聚(TC)层上行组帧中基于IP核的ATM信元存储方案及其FPGA实现

IP核可重用设计方法是未来大规模集成电路的主流设计方法。本文论述了在设计光网络终端ONT传输会聚(TC)层上行组帧中,一种将IP核模块与VHDL语言描述相结合的ATM信元存储方案,并用FPGA予以实现,得出IP核设计方法的优越性。     

利用剪切波速对饱和砂土地震液化的判别

现行有关抗震规范的液化判别方法大多使用标贯试验方法,最大判别深度不超过20 m,而近些年来的地震灾害调查显示超过20 m的饱和砂土深层液化现象是客观存在的。为此,基于Kayne场地液化数据库和修正的双曲线模型,建立了临界剪切波速液化判别公式,其判别成功率可达到80%以上。以西藏某水利枢纽为例,结合现行规范中的判别方法,对比分析并评价了本文剪切波速液化判别方法的适用性。结果表明:(1)对于埋深20 m以内的饱和砂层,《水力发电工程地质勘察规范》(GB 50287—2016)中规定的标贯判别方法得到的液化判别结果最为安全;(2)《岩土工程勘察规范》(GB 50021—2001)中规定的剪切波速液化临界曲线,对埋深超过20 m的饱和砂层液化判别过于保守,在高地震烈度时可导致极其密实的砂土被判别为液化,但在Ⅶ度时,该法对埋深10 m以内的浅层砂土的液化判别结果偏不安全;(3)对于高地震烈度区或者埋深超过20 m的深层液化判别来说,本文剪切波速方法既能克服《岩土工程勘察规范》(GB 50021—2001)判别方法过于保守的弊端,又能得到相对合理的液化判别结果。当场地缺少标贯数据或者需要对埋深超过20 m的砂土进行液化判别时,本剪切波速判别液化方法具有较强的实用性。     

缓冲层对多量子阱材料GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs共振态的影响

从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料 (GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响 ,利用界面响应理论的格林函数方法 ,计算了局域和总电子态密度以及电子对结的穿透率 ,展示了缓冲层特性对态密度特征峰、穿透率的影响。结果表明 ,缓冲层具有控制共振隧穿电子和影响系统电子态的作用     

激光在大气传输中的损耗和折射

激光束在大气中的损耗和折射是激光大气通信等实验研究的重要课题,以射线理论和数值计算为基础,给出了激光束在大气传输中的损耗和折射的求解方法,得出了相关的数学表达式,同时对不同的方法作了简单的比较。     

高频阻燃成端电缆技术发展

全面分析了成端电缆在高频传输特性、阻燃性和机械物理性能等方面的要求和存在的问题，讨论了相关电缆标准的局限性并提出了修改建议，总结了成端电缆制造技术、包括阻燃材料选择方面的经验。最后指出提高成端电缆性能的关键是改进绝缘芯线，提出了适用于室内通信电缆的复合双层绝缘结构的设计原则和制造工艺。     

ZnO growth on Si with low-temperature CdO and ZnO buffer layers by molecular-beam epitaxy

Low-temperature (LT) buffer-layer techniques were employed to improve the crystalline quality of ZnO films grown by molecular-beam epitaxy (MBE). Photoluminescence (PL) spectra show that CdO, as a hetero-buffer layer with a rock-salt structure, does not improve the quality of ZnO film grown on top. However, by using ZnO as a homo-buffer layer, the crystalline quality can be greatly enhanced, as indicated by PL, atomic force microscopy (AFM), x-ray diffraction (XRD), and Raman scattering. Moreover, the buffer layer grown at 450°C is found to be the best template to further improve the quality of top ZnO film. The mechanisms behind this result are the strong interactions between point defects and threading dislocations in the ZnO buffer layer.     

CdS薄层对有机电致发光器件性能的影响

将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 V时,色度均在白光的中心区域;当电压为7V时,器件的最大电流效率为9.09cd/A;当电压为14V时,器件的最大亮度为16 370cd/m2。不加CdS时,当电压为8V时,器件的最大效率为5.16cd/A;当电压为14V时,最大亮度为6 669cd/m2。加CdS的器件比不加CdS的器件最大效率提高了1.76倍,最大亮度提高了2.42倍。