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在传统的信号配时中,都是以减少车辆的总延误为目标,这样并不能很好地体现出整个社会中人的时间价值。现以减少所有通过交叉口的出行者的总延误为目标,在传统的信号配时方案的基础上,提出了一套新的配时方案,同时以减少全部出行者的总延误时间为目标给出了相应的延误评价公式,最后以杭州市文一路-古翠路口的实测交通数据进行分析,论证了本配时方案的有效性。 相似文献
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Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
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This paper deals with the non-steady-state kinetics of direct thermal initiated polymerization. The initiation is assumed to be a bimolecular reaction of the monomer. The relationship between the radical concentration and the monomer conversion is rigorously derived. In further treatment a few very close approximations are introduced based on the fact that the number of monomer molecules reacting in the initiation step is much less than that consumed in the propagation step for a process producing high polymer, and the value of the rate constant for propagation or chain transfer is much lower than that for chain termination. Expressions for various molecular parameters, such as molecular weight distribution, number-average and weight-average degrees of polymerization, and dispersity, are given. Several numerical examples are provided. 相似文献
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This paper addresses the aging behaviour of NiCr/CuNiMn/NiCr triple layers on Al2O3 ceramics at temperatures up to 200°C for film thicknesses d0.5 μm. Investigations of the film structure and the increase of resistance and its temperature coefficient during the annealing process and studies of the dependence of this aging drift on both the film thickness and the storage temperature have been carried out. Furthermore, the film stress and the effect of substrate bending on resistance have been measured. The results can be explained by the irregular film structure (columns and small bridges between them), which causes stress and current concentrations as well as local creeping, cracking and oxidation processes in the micro-bridges. They are compared with such for structurally homogeneous films on silicon wafers. 相似文献
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本文综述了非均匀介质中场与波理论近年来的研究进展及其应用成果,着重介绍了非均匀介质中的电磁场正演分析和反演计算中的各种高效数值方法,以及它们在电法测井数值模拟和成象研究中的成功应用。 相似文献
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旋波媒质基本参数的一种测试方法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文提出了直接利用旋波材料板的S参数获得其基本参数的方法。通过自由空间测量旋波材料板的反射场和透射场,可以反演得到媒质的复介电常数、复磁导率、旋波量以及透射场的轴比和旋转角,测试程序简单,结果精度高。 相似文献
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