红外干扰弹的干扰机理与战术应用

首先分析了红外干扰弹的干扰机理 ,然后概述了其组成、作战过程、战术使用、主要技术指标和投放 /发射技术 ,最后简述了红外干扰弹的发展趋势     

用数码图像频谱检测纺织器线密度

本文介绍了一种用数码图像频谱检测纺织品线密度的方法。文中通过数码相机和扫描仪直接获得纺织样品的数字图像,通过了ＦＦＴ变换,求出图像的频谱,从频谱的强度和分布计算出纺织品的条纹分布和周期,从而计算出纺织品的线密度。实验证明该方法准确度高,速度快,并且可以实现自动化测量。     

红外目标探测器的特征及其军用前景

论述了中波和长波红外探测器的特征及装备前景;机载前视红外（ＦＬＩＲ）成像系统用于地面目标探测和机载红外搜索跟踪（ＩＲＳＴ）系统用于空中目标探测的前景。     

复合寻的制导信息融合技术分析

复合寻的制导技术是当今世界各国竞相发展的精确制导技术之一 ,如何实现多模探测器的信息融合也已成为世界各国研究的重要课题。本文以毫米波雷达 /红外成像传感器复合为背景较系统地分析了复合寻的制导信息融合的机理、信息融合的方法和关键技术 ,并且展望了未来复合寻的制导信息融合技术的发展前景     

一种新的相关跟踪算法的设计与实现

提出了一种粗搜索结合粗匹配定位的两极图像相关匹配算法,该法利用目标中心信息的稳定性,并结合图像序列间的相关不变性和目标的自相关性给出了一种新的置信度评估方法,在存在复杂背景、类似目标、较强噪声和一定旋转及尺寸变化的情况下仍有较高的匹配精度和跟踪稳定性,匹配速度也很快,还描述了采用ＣＰＬＤ芯片与ＤＳＰ处理器共同实现算法的方法。     

红外成像引信的计算机仿真

文中提出了红外成像引信的计算机仿真方案：首先是建立飞机垢红外辐射模型,建立不同部位（单层蒙皮、内有热源蒙皮、油箱）的热平衡方程,进而得到相应波长范围内的红外辐射强度;接着提出了弹目交会的数学模型,以获得各种交会状态下的飞机红外图像;然后提取包括边解位置、方位和角度大小的图像特特;最后用神经网络的方法对所得特征集进行模式分类。     

T500辐射骚扰问题及解决方案

电磁辐射骚扰是印制电路板电磁兼容性设计中的一个难点,它不仅影响产品的研发成本,同时也影响产品的上市时间。分析了非屏蔽外壳设计的某终端产品T500在辐射发射测试中存在的问题,并提出了具体的解决方案。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

一种MRTD、MDTD客观测量方法的理论探讨

针对测量红外静态参数 MRTD、MDTD的主观方法 ,提出了一种基于人工神经网络( ANN)的客观测量方法 ,即以计算机对红外图像的自动智能客观判断来代替人眼的主观判断 ;对客观测量方法的关键点、技术实现及测试过程进行了讨论。     

A comparative study and performance characteristics of ion-implanted and heterojunction short-wave infrared HgCdTe focal-plane arrays

Short-wave infrared (SWIR) HgCdTe focal-plane arrays (FPAs) with a cutoff wavelength of 2.5 μm have been produced using both planar ion-implanted and heterojunction-mesa device structures. The two-dimesnional FPAs are comprised of a 320×256 format with 30-μm pixel pitch and are cooled by a multistage thermo-electric (TE) cooler. Measured R₀A values of the two types of device structures show similar results below about 130 K because of the performance-limiting effect of the surface passivation of the heterojunction. However, a substantial difference is seen above 130 K and up to 300 K between the two structures types, with the heterojunction-mesa p-on-n device having an order of magnitude higher R₀A value than the planar ion-implanted n-on-p configuration. The difference in the R₀A values is reflected in the FPA images of the two different device types, where at 200 K, both FPAs display a clear picture with the n-on-p implanted device having a somewhat lesser resolution. However, no image can be seen from the planar-implanted FPA at 300 K, whereas the heterojunction-mesa FPA still exhibits a notable image at this temperature. These differences are examined and are attributed largely to higher diffusion and generation-recombination (g-r) currents that are thought to be prevalent in the ion-implanted n-on-p device structure. Yet, baking studies carried out show the ion-implanted diodes to be slightly more robust, as experiments reveal that they tend to survive a 120°C heat treatment longer than the mesa devices, which tend to degrade after a certain period of time. The nature of n-type donors in ion-implanted diodes is discussed, and a new theory based on Te antisites is proposed to explain recent experimental findings.