InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

膨润土凝胶调剖剂XJF的研制及应用

介绍了调剖剂XJF的配方,讨论了影响调剖剂性能的配方因素(膨润土含量、HPAM溶液浓度、XJ用量及添加剂Fc的浓度),考察了封堵能力和应用范围,简介了在火烧山油田现场试验的结果。     

化学镀SiCp／Ni－P复合镀层与基体结合强度及其影响因素

论述了ＳｉＣｐ／Ｎｉ－Ｐ复合镀层与钢基体的结合强度及其影响因素。复合镀层中离界面５μｍ厚度以内区域的组成及应力状态对镀层／基体的界面结合有决定性作用，在该区域以外ＳｉＣ粒径变化不影响镀层的结合强度。适当的热处理可提高界面结合力。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

客户机／服务器计算环境

本文介绍了客户机／服务器计算环境的基本概念和产生背景，阐述了客户机／服务器计算中操作系统的选择原则及企业级客户机／服务器计算环境的特点。     

一种碳－碳复合材料长寿命防氧化涂层的失效机制

用液相法联合ＣＶＤ法和硅化法制备了一种碳－碳复合材料复合梯度涂层，在此基础上对这种涂层在氧化过程中的失效机制进行了研究．结果表明：氧化层与液相层界面反应生成的气相产物是涂层失效的根本原因界面上气泡的不均匀形核、长大和破裂导致涂层表面出现孔洞．孔洞处气泡优先形核、长大和破裂并发展成为缺陷而使涂层失效     

单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ ＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。