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攀西地区蕴藏着丰富的钒钛磁铁矿,但到目前为止,矿石中所含的钛资源利用率十分低下,从原矿到钛精矿的钛收得率仅为7%左右。原矿中约有50%的钛进入了攀钢特有的高钛型高炉渣中,其TiO2含量为20—26%,已堆存的高炉渣中约有1300多万吨TiO2,且每年新增至少60万吨TiO2。这种高钛型高炉渣作为提钛原料其含钛量太低,如何有效提取或利用其中宝贵的钛资源是一个难度极大且非常重要的课题。本文对过去所做过的提钛技术研究进行了全面回顾,探讨了一些关键问题,以期明确今后提钛研究的方向和工作重点。 相似文献
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回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
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当前脉冲发生器里的脉冲形成器件,大部分是用火花气隙(spark gap)和高压电子开关(high voltageswitch).采用火花气隙充当脉冲形成器件有很多弊病:(1)火花气隙在低于1kV时,在机械和电气上不稳定,所以对低于2kV的试验电压要通过分压器来得到. 相似文献
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ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献