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51.
利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵,改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为１９８ａｒｃｓｅｃ,且出现了Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹,说明外延层结晶质量很好。  相似文献   
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