空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响

为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。     

模拟烟气中Hg排放形态的数值分析

为了深入研究燃煤Hg排放控制技术,在分析Hg形态转化过程及其影响因素基础上,通过控制变量法设定模拟烟气组分(HCl、O_2、NO、H_2O、CO_2和SO_2)的初始浓度值,利用化学动力学计算软件Chemkin进行数值模拟.结果表明:Cl原子的存在会促进单质Hg(Hg~0)向氧化态Hg转化,在一定范围内增加HCl的量有利于Hg的氧化;O_2会促进Hg的氧化但作用不如HCl明显;根据其所处的烟气气氛,NO既能促进Hg的氧化也能抑制Hg的氧化,在氧化性气氛中,NO的存在会提高Hg的氧化率;H_2O有利于Hg的氧化,而CO_2的存在会造成局部很强的还原性气氛,会抑制Hg的氧化;在不同条件下,SO_2可以促进或抑制Hg氧化.     

卧式硫化罐控制系统的改造

对卧式硫化罐进行改造,用C200Hg控制系统来代替C60P控制系统和仪表控制,使整个控制系统更简洁、稳定,精度更高,大大降低维修费用及维修量。     

SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合

对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .     

利用~(197)Hg稀释法测量汞槽中的汞量

本文叙述了同位素稀释法的一般原理,并给出含~(197)Hg,~(197m)Hg和~(203)Hg混合核素金属汞的具体测量方法。本工作用万分之一精确度的衡器称重检验和补加汞的方法检验及静态试验并进行了模拟槽试验和生产电解汞槽汞量的测量,其测量误差在±0.3%左右。此技术比以往在停产,排汞后称重计量的方法更为精确和方便。     

掺杂稀土元素对Ag(Nb1-xTax)O3介电性能的影响

研究了添加稀土元素Gd2O3,Dy2O3对本系统介电性能的影响规律.实验表明,适量添加稀土元素能有效减少材料内部的缺陷和空位,并抑制B位Nb5 离子的松弛极化,明显改善材料的介电损耗(tgδ<1×10-3).另外Gd3 ,Dy3 取代部分Ag ,减小A位离子的平均半径,导致材料介电常数增大和减小的两种机制同时存在.当添加量适当时可以使材料的介电常数ε达到550以上.     

纳米管钛酸的ESR特性及其可见光照的影响

本报道了纳米管钛酸在真空-0．1MPa、温度100℃的条件下，经过不同时间处理后的ESR特性及其可见光照的影响．发现纳米管钛酸经一定处理后，不经光照即出现g=2．003 ESR信号，该信号是由捕获一个电子的氧空位(Vo)产生的，此信号随着处理时间的延长而增强；在532nm的可见光照射下，随着光照时间的延长信号强度随之增加，达到一定强度值后，不再随光照时间的延长而增加；光源关闭后，信号强度又逐渐减小，但不能恢复到原来信号强度的水平．     

钛酸钡陶瓷中居里点移动规律与机理研究进展

钛酸钡是研究最多、应用最广泛的钙钛矿型铁电材料.钛酸钡陶瓷中的居里点是其最重要的性能之一,受到人们的广泛关注.本文综述了使钛酸钡陶瓷居里点移动的相关要素,指出钛酸钡陶瓷的居里点会受到掺杂、尺寸大小、四方率、氧空位浓度、应力等多种因素的影响,对钛酸钡陶瓷中居里点移动的研究历史、当前进展及规律与机理进行了总结.     

三联吡啶衍生物Hg2+探针的合成、离子识别及量化计算

通过Suzuki偶联反应,分别将9-己基-9H-咔唑基团和三苯胺基团引入4'-(4-苯基)-2,2',6',2″-三联吡啶结构中,设计合成了两种具有D-π-A结构的三联吡啶衍生物(Tpy1和Tpy2),并经熔点、核磁共振、质谱及元素分析对其结构进行了表征。Tpy1和Tpy2对Hg2+比其他金属阳离子具有更好的选择性,可通过紫外分光光度法或紫外灯下肉眼观测对二氯甲烷溶液中的Hg~(2+)进行有效识别。密度泛函理论(DFT)量化计算结果表明,当探针与Hg~(2+)结合后,其分子内电荷转移(ICT)效应增强,吸收光谱红移31 nm。此外,探针分子中所连接的不同的供电子芳香基团可影响其对Hg~(2+)的识别效果,Tpy1和Tpy2检测限分别为2.51×10~(-6)mol/L和4.40×10~(-6)mol/L。探针分子对Cu~(2+)也有响应。