Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理

利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定性介质陶瓷材料。为研制用于高频、超高频电子设备中性能稳定微波元器件找到了有效的途径。     

硅中双空位和杂质对Se~2电子结构的自洽场Xa研究

本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se~2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能级。杂质对Se~2在禁带中引入A_(1Q)和A_(2U)两个深施主,它们的位置分别为(Ec—0.26)eV和(Ec—0.57)eV,其中前者已在实验中观察到。     

大姚崩落采矿法借计算机模拟优选采场参数

目前大姚铜矿氧化矿采用的是底盘漏斗崩落采矿法。可是矿石损失值很高,虽然矿山做了大量工作,但是仍然不能将其降至设计的指标。鉴于目前的状况,为了掌握在矿山具体条件下崩落矿岩的流动规律;矿体产状、采场结构参数以及回采工艺与回贫指标之间的关系;以便为改进采矿方法、结构参数和回采工艺提供具有说服力的依据。展开了计算机模拟的最优化研究。论文说明了计算机模拟的试验方法并且分析了所获得的结果,提出了对实际生产具有指导意义的选择与建议。     

纳米结构金属的空位变形机制——冷轧纳米结构金属镍和钴X射线衍射研究

对纳米结构金属的变形机制进行了讨论．位错导致的塑性变形以及相变导致的不均匀应变，均可加宽X射线衍射峰．而在对冷轧变形后纳米金属晶体镍和钴的实验中，发现衍射峰不是变宽而是变窄．这个实验结果可以通过空位、空位群的产生和运动来解释．提出的空位变形机制可以初步解释金属纳米晶体的其它实验现象，但是对于晶体结构等因素以及面心立方纳米金属变形后品粒长大过程巾所伴随的变形机制的变化等问题，还需要通过更仔细充分的试验以及理论上的深入考虑加以研究．     

晶体本征空位的填充分数极限：填充方钴矿

本文用密度泛函方法研究了不同杂质在cosb3晶格的本征空位处的掺杂极限或填充分数极限（FFL）。FFL不仅取决于杂质和主原子的相互作用，也取决于杂质原子和一种主原子形成的第二相。预测了Ca、Sr、Ba、La、Ce和Yb原子在CoSb3中的FFL，与报道的实验数据吻合得很好。本文还讨论了杂质原子的FFL与价态和电负性的相关性。     

金属/Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究

分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.     

冷轧变形纳米晶钴的X射线衍射研究

对冷轧变形前后纳米金属钴的微观应变。晶格常数以及晶粒尺寸的变化进行了研究，对X射线衍射图谱进行了分析计算，结果表明，变形过后晶体内部存有残余内应力并导致了微观应变，应变大小为ε=1．412×10q；对变形前后的晶格常数进行计算，得到变形后的晶格常数为a=0．25241nm；c=0．40782nm；透射电镜的观察和衍射谱线的计算表明变形后纳米金属钴的晶粒大小与形状基本未发生变化，平均晶粒尺寸为18．8nm。有可能是空位的活动降低了变形过程中的晶界迁移几率，使得变形后的晶粒尺寸基本没有发生变化。     

拓展纳米TiO2作用光范围研究的进展

TiO2光催化剂在环境治理和能源开发方面具有广阔的应用前景,但其较宽的禁带宽度不能有效地利用太阳能,限制了它的应用范围.因此开发具有可见光响应的TiO2光催化剂将成为未来研究的主要方向.从染料敏化、半导体复合、金属离子和非金属离子掺杂等方面介绍了目前的研究现状,并对引入氧空位缺陷来改善其可见光催化活性进行了分析和展望.     

Hg1-xMnxTe的光学性质研究

根据Hg1-xMnxTe的光学吸收光谱，用Kana模型详细分析了重空穴和导带间的直接跃迁导致的本征光吸收。研究表明当光吸收系数α<103 cm-1时，在导带中没有出现从抛物线色散规律引起的偏离，因而保证了Hg1-xMnxTe带宽的精确确定。     

模拟烟气中Hg排放形态的数值分析

为了深入研究燃煤Hg排放控制技术,在分析Hg形态转化过程及其影响因素基础上,通过控制变量法设定模拟烟气组分(HCl、O_2、NO、H_2O、CO_2和SO_2)的初始浓度值,利用化学动力学计算软件Chemkin进行数值模拟.结果表明:Cl原子的存在会促进单质Hg(Hg~0)向氧化态Hg转化,在一定范围内增加HCl的量有利于Hg的氧化;O_2会促进Hg的氧化但作用不如HCl明显;根据其所处的烟气气氛,NO既能促进Hg的氧化也能抑制Hg的氧化,在氧化性气氛中,NO的存在会提高Hg的氧化率;H_2O有利于Hg的氧化,而CO_2的存在会造成局部很强的还原性气氛,会抑制Hg的氧化;在不同条件下,SO_2可以促进或抑制Hg氧化.